110年公務人員高等考試一級暨二級考試電子工程類科歷屆試題,含憲法與英文、國文(作文、公文與測驗)、高等電子電路學(包括類比與數位)等 6 科。
共 6 份考卷|資料來源:依政府資料開放授權條款(OGDL)第 1 版利用,資料集:考選部歷屆試題(data.gov.tw dataset 170565),110 年。
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下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
20110-22510
頁次:
1 - 1
等
別:高考二級
類
科:各類科
科
目:憲法與英文
考試時間:
2 小時
※注意:
禁止使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
一、聲請人甲因違反槍砲彈藥刀械管制條例(下稱槍砲條例)等罪案件,認 臺灣高等法院花蓮分院 103 年度原上訴字第 17 號刑事判決,於該判決 中所適用之槍砲條例第 20 條第 1 項有關自製之獵槍部分規定、依同條 第 3 項規定授權訂定之槍砲彈藥刀械許可及管理辦法第 2 條第 3 款規定 與野生動物保育法第 21 條之 1 第 1 項規定、第 2 項前段規定、原住民 族基於傳統文化及祭儀需要獵捕宰殺利用野生動物管理辦法第 4 條第 3 項 規定及同條第 4 項第 4 款等規定,侵害了原住民族之多元文化開展與在 憲法上保障之基本權利,有牴觸憲法之疑義,向司法院聲請解釋憲法。 請問:
原住民族的多元文化開展,在憲法增修條文中已有肯定多元文化之相 關規定。請依司法實務、主要學說論述多元文化國對國家要求之義務。 ( 20 分)
假設你是甲的辯護律師,在釋憲聲請書上應如何論證:本案甲可以主 張憲法上保障的基本權利為何?該基本權利在憲法上的依據為何? 究屬個人權利或集體權利?( 30 分)
The 400-meter-long container ship became jammed across the Suez Canal on March 23, halting traffic in both directions and disrupting global trade. The principal causes were high winds and a sand storm that reduced visibility and rendered the ship unable to keep a straight course through the channel.
富裕國家慣常以為兒童極少成為流行病受害者。但是在印尼,官方統計 的死亡人數每 88 人中約有 1 人是兒童。真實的比率無法辨別,因為檢 測有限,而且印尼許多因新冠肺炎死亡的人數無法計算。
提示:
*印尼:
Indonesia
*新冠肺炎:
COVID-19
分)
Write an English essay of about 300 words to address the following: Online shopping allows consumers to directly buy goods from a seller over the Internet. What influences do you think this kind of shopping brings to the market?
座號:
代號:
20120-22520
頁次:
3 - 1
等
別:高考二級
類
科:各類科
科
目:國文(作文、公文與測驗)
考試時間:
2 小時
※注意:禁止使用電子計算器。
甲、 申 論 部 分 : (
60
分)
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答,於本試題上作答者,不予計分。
不得於試卷上書寫姓名或座號。
分)
根據國家發展委員會「 108 年個人家戶數位機會調查報告」,臺灣網 路族群對於網路訊息真實性的查證情形如下圖。請參考下圖、親身經 驗或所見所聞,以「我對網路訊息真實性查證的看法」為題,作 文一篇,文長不限。

分)
交通部為改善偏鄉地區交通問題,並考量偏鄉地區公共運輸需求特 性,將持續推動「幸福巴士 2.0 」計畫。為精進相關服務,該計畫將 善用科技平台提升營運效能、強化各部會資源統整運用、法規鬆綁增 加彈性及擴大導入民間資源參與偏鄉公共運輸等,提供更整體完善 之偏鄉公共運輸服務。試擬交通部函各縣市政府交通局,請積極宣導 「幸福巴士 2.0 」資訊。
座號:
代號: 2201
本測驗試題為單一選擇題,請選出一個正確或最適當的答案,複選作答者,該題不予計分。
共 10 題,每題 2 分,須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,於本試題或申論試卷上作答者,不予計分。
1 「本公司二廠於 1 月 19 日晚間疑似電線走火釀災,幸賴消防隊全力救火,於 ① 凌 晨 2 點完全撲滅, ② 對此公司敬表謝意。二廠未受損部分仍正常營運, ③ 預計一週 內搶修完畢,且總管理處已調度一、三廠支援, ④ 整體產能影響無虞。」上文是某 電子公司的啟事,部分詞句有待修改,下列選項修改後仍不適當的是:
為避免誤會是 1 月 19 日凌晨 2 點, ① 宜改為「翌日 2 點」
為避免誤會是對該公司表示謝意, ② 宜改為「本公司對此敬表謝意」
為避免誤會是「二廠未受損部分」要「搶修」, ③ 宜改為「受損部分預計一週內 搶修完畢」
為避免誤會是「總管理處」的「整體產能影響無虞」, ④ 宜改為「各廠整體產能 影響無虞」
2 孔子師生受困於陳、蔡時,曾討論逆境的由來與解決的方法。子貢說:「夫子之道 至大也,故天下莫能容夫子。夫子蓋少貶焉?」上文子貢勸孔子「蓋少貶焉」的意 思是:
放下身段
降低標準
自我檢討
暫時隱忍
3 楚莊王聽朝罷晏。樊姬下堂而迎之,曰:「何罷之晏也,得無飢倦乎?」莊王曰: 「今日聽忠賢之言,不知飢倦也。」樊姬曰:「王之所謂忠賢者,諸侯之客歟?國 中之士歟?」莊王曰:「則沈令尹也。」樊姬掩口而笑。王曰:「姬之所笑者何等 也?」姬曰:「妾得侍於王,尚湯沐,執巾櫛,振衽席,十有一年矣。然妾未嘗不 遣人之梁鄭之間,求美人而進之於王也。與妾同列者十人,賢於妾者二人。妾豈不 欲擅王之愛,專王之寵哉?不敢以私願蔽眾美也,欲王之多見,則知人能也。今沈 令尹相楚數年矣,未嘗見進賢而退不肖也,又焉得為忠賢乎?」莊王旦朝,以樊姬 之言告沈令尹,令尹避席而進孫叔敖。叔敖治楚三年,而楚國霸。(《韓詩外傳》) 根據上文,樊姬心目中忠賢者應當是:
自斂鋒芒,愚於外精於內
胸襟坦蕩,德厚無所不親
能謀善斷,在其位謀其政
薦賢進士,不計一己得失
4 承上題,文中之沈令尹為人如何?
公忠體國,堪能撥煩
才高識宏,鑒往矯失
忝官尸祿,欺上罔下
韜跡隱智,飽練世故
5 「他清楚記得童年時的一件事。學童們當時發明一個過五關的遊戲,由一人當關主, 在水渠中設置五道陷阱,其他人將紙船放入,如果中途船沉了,就被關主沒收,如 順利通過五關,關主得賠五艘紙船。他在省了幾頓午飯後終於存夠錢買到十五艘紙 船,有資格做關主。由於他設的陷阱看起來無驚無險,很多人參加,但他們的船都 沉了,他一天就贏了十艘紙船。艱苦的生計使他很小就學會如何求生存。」根據上 文,主角童年所展現的特質,不包含下列那一項?
儉樸
毅力
膽識
才智
6 「先天條件如智力、體型或運動能力,只能提供短暫的起跑優勢,無法造就偉大的 成就。……探討某種天賦是否限制正常人獲得專長,就像詢問健康的人能否登上高 山的頂峰。許多人沒有登上高山,並不表示沒有登頂的天賦,而是因為考慮登山的 危險,或缺乏體能鍛鍊,或不願投入時間、金錢參加培訓和購買設備。同樣地,很 多人沒有某領域的專長,並不代表他們缺乏天賦,而是因為缺乏動機、訓練和資源。」 下列選項,何者最符合本文的推論?
贏在起跑點,未必能贏在終點
先天條件好,必定能登上頂峰
未登高山者,絕不是缺乏天賦
訓練和資源,一定能助人登頂
頁次:
3 - 3
7 楚天千里清秋,水隨天去秋無際。遙岑遠目,獻愁供恨,玉簪螺髻。落日樓頭,斷 鴻聲裡,江南遊子。把吳鉤看了,欄干拍遍,無人會,登臨意。 休說鱸魚堪膾, 儘西風,季鷹歸未?求田問舍,怕應羞見,劉郎才氣。可惜流年,憂愁風雨,樹猶 如此!倩何人喚取,紅巾翠袖,揾英雄淚!(辛棄疾〈水龍吟· 登建康賞心亭〉) 此詞「無人會」的「登臨意」,最接近下列何者?
青春易逝,佳人難覓的感慨
遠貶異地,思念故土的感傷
效命沙場,報國雪恥的壯志
得遇明主,出將入相的期許
8 「被咒的千島南國/天兔之後再來海燕/你母親卻非燕子/重負滿胎,只能/在家 村陸沉的外海/抱一截木柱漂浮/你睡在羊水中,怎知/母親在海水中正跟/豪雨 和颶風交手/隨時會滅頂,沒於/一排接一排浪頭/這,絕非公平的決鬥/大哉母 愛,贏的是母親/只憑著一條臍帶/竟敢與死亡拔河,不/ --拔海」 。下列選項, 最接近本詩主旨的是:
可怕的颱風
無助的女嬰
無情的大海
偉大的母親
9 「一個機構與組織在當時的系統或策略影響下,執行合法甚至符合倫理規範的作 為,卻導致該機構效能不彰、人民對該機構的信任降低。……為什麼系統中的每個 要素或事物都在忠實且理性地運作,但是,這些基於『善意』的行動,結果卻弄巧 成拙?……今天人類面臨的各種複雜問題,來自工業時代根深蒂固的心智模式,認 為一切事物都可被拆解和還原,形成一種獨立的系統。然而,管理者所面對的問題, 通常不是彼此孤立,而是相互影響。不能只以了解系統的各個構成部分來認識系統 整體的行為,造成陷入瞎子摸象的迷思;更要注意的是,部分最佳化的總和往往小 於整體效益。」下列選項,何者最符合上文旨意?
盡其在我的觀念,已不能創造組織最大的效益
行政只要符合法理,效能不彰也不應過於苛責
管理者應以獨立的系統性模式,判斷各種問題
善意經常弄巧成拙,原因在於人民的信任不足
10 「紐約有那麼多摩天大樓,有和大樓一樣多的資本家,但是紐約也有數不清的平凡微小 然而知足的人,只要自己能按時領到薪水,只要子女能按時攝取足夠的蛋白質和維他命。 這兩個『只要』,在紐約是理所當然的不成問題,但是在世界上有些地方可不行。我認 識一個人,他從物質十分匱乏的地方來到紐約,頭一次進超級市場時魂魄幾乎出竅,怎 麼有這麼多可以吃的東西!他說一天吃一種,這輩子也吃不完!接著他發現怎麼有這麼 多的學校!這麼多的圖書館!這麼多『事求人』的廣告!不錯,紐約也有那麼多不良幫 派,那麼多色情電影和大麻菸,但是,他知道那是他必冒的風險,任何事情都有風險是 不是?如果他牢守故園,不是也有許多風險要冒嗎?勝算不是比在紐約還要小嗎? --我敢說,這個人的想法是有代表性的,『非我族類』,其心約略相同。它正是紐約無形 的『紐』,紐約人無聲的『約』。」作者巧妙地取「紐」、「約」二字的繫結及協議之 義,寫國際大都會紐約人們共同的願望。下列選項,何者最接近上文所說紐約之「紐」、 「約」的涵義?
生活改善,幸福溫飽
不同種族,相互尊重
勇於冒險,一夕致富
降低物欲,心靈富足
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22130
2 - 1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:高等電子電路學(包括類比與數位)
考試時間:
2 小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
本科目除專門名詞或數理公式外,應使用本國文字作答。
一、如圖所示的小訊號模型 BJT 放大電路,其中 100 F 、 2 k r 、 2 k E R 、 4 k sig R 和 104 k L R 。
假設 50 k o r ,試求輸出電阻 o R 。( 10 分)
假設 o r ,試求輸入電阻 in R 及增益 / v o sig A v v 。( 15 分)

二、下圖為串 -並( series-shunt )回授放大器,假設使用理想偏壓電流運作。
假如電晶體 F 非常大,此電路的理想閉迴路增益 ( / ) o i V V 為 10 V/V , E R 選用 100 ,請問 F R 應設計為多少?( 10 分)
當 、 和 分別偏壓在電流 1 mA 、 2 mA 和 5 mA ,電晶體具 有 100 F 、 o r 非常大,以及 25 mV T V 。假設採用 50 Ω E R 和 12 k F R ,搭配 1 2 k C R 和 2 1k C R ,計算實際迴路增益 以 及其閉迴路增益 ( / ) o i V V 。( 15 分)
座號:

三、圖 (a) 為轉導( transconductance )放大器具有增益 Gm 的電路圖和等效電 路,依據此特性設計如下電路。
圖 (b) 為使用 Gm 1 和 Gm 2 轉導放大器與電容 C 元件所組成電路,證明其 輸入阻抗可等效為電感,並算出其電感值(以 Gm 1 、 Gm 2 和 C 表示)。 ( 10 分)
圖 (c) 為使用 Gm 1 至 轉導放大器與二電容 C 元件所組成電路,請計 算轉換函數 v 1 / v i 以及說明其為何種濾波器型態。其次,再計算轉換函 數 v 2 / v i 以及說明其為何種濾波器型態。( 15 分)

四、關於時脈觸發正反器的應用電路設計,請設計如下邏輯電路。
圖 (a) 中,顯示 T 正反器的真值表,使用 D 正反器搭配邏輯電路以實現 T 正反器,請設計圖上之「組合邏輯電路 A 」。( 10 分)
圖 (b) 為使用 D 正反器、 T 正反器和邏輯電路實現圖上之邏輯狀態表, 表示目前輸出邏輯,而 表示下次輸出邏輯, 為輸入信號,請 依據此狀態表設計圖上之「組合邏輯電路 B 」。( 15 分)

(a)
(b)
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22140
2 - 1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:電路分析
考試時間:
2 小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。 本科目得以本國文字或英文作答。
本電路屬於何種濾波器?( 5 分)
V o( s )/ e s( s ) = ?( 10 分)
如果 e s( t ) = 2cos2 t V , V o( t ) = ?( 10 分)

圖一
e
s
1F
1
1
I
1
1F
V
o
2 H

200 Vrms
50
20
10
1:2
1:3
40
I1
V2
V3
V4
I2
I3
V1
圖二
座號:
V 2( )/ V o( ) = ?( 10 分)
震盪頻率 f o = ?( 10 分)
為了維持震盪條件, R1 與 R2 之關係為何?( 5 分)

R1
R
圖三
V
o
R
L
L
R2
V
2
四、在圖四電路中,試求解 a -b 兩端之戴維寧等效電路?( 25 分)

圖四
6cos10
t
V
0.05 F
4
io
a
vo
4
io
vo
3
b
1 H
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22150
頁次:
1 - 1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:積體電路技術
考試時間:
2 小時
※注意: 可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。 本科目除專門名詞或數理公式外,應使用本國文字作答。
一、
試以數學表示式定義「等效氧化層厚度」( EOT, equivalent oxide thickness )。( 10 分)
假設氧化鋁的厚度為 20 nm 、相對介電常數 ε r = 9 ,試求其等效氧化層 厚度( EOT )為?( 10 分)
二、 試繪圖說明何謂 CMOS 閂鎖( latch-up )效應。( 10 分)
試說明兩種可預防發生 CMOS 閂鎖效應之製程設計。( 10 分)
三、金氧半場效電晶體( MOSFET )以定電場方式縮小元件尺寸( scaling ),如果尺寸縮小參數( scaling factor ) k = 0.7 說明下列元件或電路參數在微型化後之變化:(每小題 4 分,共 20
通道長度( L
constant-field ,試輔以數學表示式 分) )
汲 -源極電壓( VDS )
施體或受體摻雜濃度( ND 或 NA
閘極電容( CG )
功率( P )
四、 試指出濕式蝕刻( wet etching )係具備等向性( isotropic )或非等向性 ( anisotropic )蝕刻特性。( 5 分)
請列舉三項控制濕式蝕刻速率之因素。( 15 分)
五、假設樣品 A 為被氮化鈦( TiN )黏著層完全包覆之銅( Cu )導線,其正方 形截面積為 0.5 μm × 0.5 μm , TiN 之厚度為 t ;另樣品 B 為具有相同正方 形截面積之 TiN/ 鋁( Al ) /TiN 堆疊層導線,其上層 TiN 厚度為 40 nm 、 下層 TiN 厚度為 60 nm 。假設 Cu 之電阻係數為 1.7 μΩ-cm , Al 之電阻 係數為 2.7 μΩ-cm ,且樣品 A 與 B 在相同長度之下,具有相同的電阻, 試求樣品 A 之 TiN 黏著層厚度 t = ?( 20 分)
座號:
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22160
頁次:
2 - 1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:電子元件
考試時間:
2 小時
※注意: 可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。 本科目除專門名詞或數理公式外,應使用本國文字作答。
(每小題 10 分,共 20 分)
求該半導體之電導率( conductivity ) 1 = ?
若減少摻雜為 NA = 5 10 14 cm -3 但 ND = 8 10 14 cm -3 不變,其電導率 變為 2 ,求比例 1 / 2 = ?
二、矽半導體能帶隙中適當的缺陷( trap )可提供做為電子與電洞對的產生與復 合中心( generation-recombination center ),已知 p型矽之 p 0 = 1 10 15 cm -3 , 常溫下矽材料之 ni 為 1.5 10 10 cm -3 。(每小題 10 分,共 20 分)
當電子電洞濃度因外在因素被移除,使得 n p ≪ ni 2 成立,此時該 trap 是扮演淨產生或是淨復合為主的變動角色?若少數載子之該機制相 關壽命為 = 3 10 -6 s ,則在該機制下之淨變動速率為何?
當電子電洞濃度因外在因素造成濃度增加,使得 np > ni 2 ,在低位準注 入( low level injection )條件下,多數載子假設幾乎不變 p ≈ p 0 ,但少 數載子增加,此時該 trap 是扮演淨產生或是淨復合為主的變動角色? 在 n 1=9 n 0 時之該機制淨變動速率為 x 1 ,在 n 2 = 5 n 0 為 x 2 ,求 x 1/ x 2 = ?
三、 PN 二極體在 P 區與 N 區的摻雜濃度分別為 NA 與 ND ,已知 NA = ND =2 10 15 cm -3 ,常溫下矽之 ni 為 1.5 10 10 cm -3 , 1 k T /q = 0.0259 V , 介電常數( dielectric constant )為 11.7 , ε 0=8.85 10 -14 F/ cm , q =1.6 10 -19 C 。 (每小題 10 分,共 20 分)
求熱平衡下空乏區內之內建電場( built-in field )最大值為多少?
當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 10 5 V/cm 時,二極體出現累 增崩潰( avalanche breakdown ),求崩潰電壓 VB 值約為多少?
座號:
四、已知金屬與 n型矽接面形成蕭基位障二極體,利用反偏壓下的單位面積 電容值 C' 變化可以萃取出元件的重要參數。(每小題 10 分,共 20 分)
請說明如何由 C' 的量測與分析求得內建電位障( built-in potential barrier ) Vbi 與 n型矽的摻雜濃度 ND ?
a 與 b 兩元件在固定順偏壓下的蕭基位障高度 ( Schottky barrier height ) 分別為 Ba =0.5V 與 Bb =0.6V ,假設其他參數均相同, 1 k T /q =0.0259 V , 兩元件的電流比例 Ja / Jb = ?
五、金屬氧化層半導體 MOS 元件,已知半導體為 p型矽,摻雜濃度為 NA =2 10 15 cm -3 ,金屬與半導體之功函數差( work function difference ) ms =-0.8V ,假設氧化層與矽介面存在固定電荷( fixedcharge ) Qf/ q =2 10 11 cm -2 , 氧化層 SiO2 厚度為 40 nm , SiO2 介電常數為 3.9 , Si 介電常數為 11.7 , ε 0 = 8.85 10 -14 F/ cm ,常溫下矽之 ni 為 1.5 10 10 cm -3 , 1 k T /q =0.0259 V , q = 1.6 10 -19 C 。(每小題 10 分,共 20 分)
求元件之平能帶電壓( flat-band voltage ) VFB = ?
當偏壓至半導體表面呈現強反轉( strong inversion )時,元件進入臨限 區( threshold region ),元件偏壓為 VTH ( threshold voltage ),令氧化 層電容值為 Cox ,在上述 VTH 下的元件整體高頻電容值為 C( VTH ) ,求 電容值比例 C( VTH )/Cox= ?