代號：

20110-22610

頁次：

1 － 1

111 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：憲法與英文

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、立法院司法及法制委員會為審查通訊保障及監察法部分條文修正草案， 向最高檢察署調閱該署掌有偵查卷證之通訊偵查聲請書、筆錄、監聽譯 文等卷證文書影本及監聽光碟片。請從憲法角度說明立法院向偵查機關 調閱文件之憲法基礎及其界限。 （ 25 分）

• 二、依老年農民福利津貼暫行條例第 4 條第 1 項規定，老年農民福利津貼之 額度為每月核發新臺幣（以下同） 7,000 元整。如果老年農民福利津貼暫 行條例於民國 112 年 7 月 1 日修正公布，將老年農民福利津貼之額度降 為 5,000 元，自 110 年 7 月 1 日起開始支領老年農民福利津貼之老年農 民甲主張此一修正侵害其財產權。甲之主張有無理由？（ 25 分）

三、英譯中： （ 10 分）

Most people would admit that our civilization is decadent and our languageso the argument runs-must inevitably share in the general collapse. It follows that any struggle against the abuse of language is a sentimental archaism, like preferring candles to electric light or hansom cabs to aeroplanes.

四、中譯英： （ 10 分）

過去，森林野火被視為能促進營養物質循環，森林也總是能從灰燼中浴 火重生，但未來森林可能被毀滅性大火重擊而造成表土因為缺乏植被而 快速侵蝕，也會導致土壤營養的流失。

五、英文作文： （ 30 分）

Multitasking is a trend that has gained momentum recently and many people all over the world would like to embrace it. In contrast, there is an English proverb that says, 'Don't put too many irons in the fire.' Write an essay in English to explain whether you agree or disagree to this adage with arguments for both sides.

座號：

代號：

20120-22620

頁次：

3 － 1

111 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：國文（作文、公文與測驗）

考試時間：

2 小時

※注意：禁止使用電子計算器。

甲、作文與公文部分：甲、申論題部分：

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答，於本試題上作答者，不予計分。

• 

不得於試卷上書寫姓名或座號。

一、作文：（

60 分）

劉墉說：「格局可以是胸懷、是見識、是信心、是寬廣的抱負。」格 局決定著人生的發展方向，格局大了，未來的路才能寬。掌控了格局， 也就掌控了人生。請以「提升格局開創人生」為題，撰文一篇。

二、公文：（ 20

分）

內政部營建署所屬之「國家公園」及「國家自然公園」為具有特殊景 觀，或重要生態系統、生物多樣性棲地之國家自然遺產，亦為具有重 要之文化資產及史蹟，其自然及人文環境深富文化教育意義。依「國 家公園法」第 13 條，國家公園區域內訂有各項禁止行為，如禁止焚 燬草木或引火整地、狩獵動物或捕捉魚類、污染水質或空氣、採折花 木……等行為。邇來民眾多有違反上列各項禁止行為，實有加強管理 之必要。試擬內政部營建署致各所屬「國家公園管理處」及「國家自 然公園管理處」函，依法加強管理及取締各項禁止行為，以維護國家 特有之自然風景、野生物及史蹟。

乙、測驗部分：（ 20 分）

•  本測驗試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案。

•  共 10 題，每題 2 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題或申論試卷上作答者，不予計分。

• 1 歧義句是指一個句子能以多種不同方式理解。下列選項，何者沒有歧義的問題？

•  她是我剛認識的小娟的妹妹

•  張三和李四的朋友都出席了

•  這個人甚至連老王都不認識

•  美元對臺幣的匯率小幅攀升

• 2 「把殘酷不公、令人憤怒的事情，以詼諧、輕鬆的方式，寫得滑稽可笑，乍看胡扯 瞎鬧，但是深識喜怒哀樂者，輒能領略其中的沉重與苦悶。」

下列選項，何者最符合上述寫作手法？

 付之一笑

•  嘲諷戲謔

代號： 2201

座號：

•  笑裡藏刀

•  謔浪笑敖

• 3 朱光潛《詩論》 ： 「移情作用是極端的凝神注視的結果，它是否發生以及發生時 的深淺程度都隨時隨人隨境而異。……不過欣賞自然，即在自然中發現詩的境 界時，移情作用往往是一個要素。」朱光潛《文藝心理學》又言： 「大地山河以 及風雲星斗原來都是死板的東西，我們往往覺得他們有情感，有生命，有動作， 這都是移情作用的結果。」

下列選項所引詩詞，何者無「移情作用」之效果？

•  菊殘猶有傲霜枝

•  相看兩不厭，惟有敬亭山

•  數峰清苦，商略黃昏雨

•  莫聽穿林打葉聲，何妨吟嘯且徐行

• 4 「以烏魚子和一碟花生米，就著威士忌酒，也不必敬酒，也無須顧忌，自自然然， 各自喝著各自杯中的酒，直到臺先生想起約會的時間已到才離去，而我們原本沒有 預設的聚敘也在薄暮之中結束。許多年以後，人事已非，有時偶爾會想起某些平淡 的往事，禁不住心中充滿似甜蜜又感傷的滋味。那個暮春黃昏的景象，正是時時令 我緬懷的一景。」

根據上文內容，下列選項最接近作者旨趣的是：

•  悲悼生命的無常

•  緬懷家鄉的閒適

•  喟歎知己的難尋

•  追憶師友的聚散

• 5 「地方政府為了協助農民重建風災後的家園，特別撥了一筆鉅款，準備以低利貸給 農民。只是農民反應不如預期熱烈，他們需要錢時，仍去找放高利貸的人，接受非 法的盤剝。原來銀行的辦事員因為經辦利潤不高，對農民態度冷峻，加上申請手續 複雜，反倒使得放高利貸的人有機可乘，他們舌粲蓮花，放款迅速，吸引不少農民 上鉤。」

下列選項，描述上文人物的心態，何者最恰當？

•  農民：謀事在人，成事在天

•  銀行辦事員：事非經過不知難

•  地方政府：我本將心向明月，奈何明月照溝渠

•  放高利貸者：冷暖俗情諳世路，是非閑論任交親

• 6 「工業革命以來，人活在社會的目的不再是為了追尋生命的意義，或者懷疑存在的 價值，而是為了創造經濟價值、賺錢。智慧貶值了，同時創意走入死巷：如果創意 人想透過創意創造經濟價值，就不容易創造出有深度的作品；因為缺乏智慧，作品 也缺少透視力和有機性。而主流社會不再追求智慧，更造成創意品質低劣的惡性循 環。」

根據上文，下列選項何者最接近作者觀點？

•  工業革命之後人們更重視創意

•  有創意的作品是沒有經濟價值的

•  創意人應該要仔細考量如何創作具有經濟價值的作品

•  因為工業革命以來智慧貶值，所以作品也就每況愈下了

• 7 「報紙是印刷媒體的一種，和近代文化的發展關係密切，西方文化理論中對報紙所 扮演的角色頗為重視，最常為人引用是安德森關於『想像社群』的說法，他認為近 代民族國家的興起，是先由印刷媒體（特別是報紙和小說）帶動一種『共時』的想 像共同體，才導致民族國家的建構，換言之，前者是後者的基礎。」

下列選項，何者最符合上文所強調的「報紙」的特質？

•  休戚與共的凝聚效果

•  超越立場的批判精神

•  追求真相的社會責任

•  傳播進步的時代價值

• 8 陽子居南之沛，老聃西游於秦，邀於郊，至於梁而遇老子。老子中道仰天而歎曰：

「始以汝為可教，今不可也。」陽子居不答。至舍，進盥漱巾櫛，脫屨戶外，膝行 而前曰： 「向者弟子欲請夫子。夫子行不閒，是以不敢。今閒矣，請問其過。」老 子曰： 「而睢睢盱盱，而誰與居？大白若辱，盛德若不足。」陽子居蹵然變容曰： 「敬聞命矣！」其往也，舍者迎將，其家公執席，妻執巾櫛，舍者避席，煬者避竈。 其反也，舍者與之爭席矣。 （ 《莊子．雜篇．寓言》 ）

老子起初以陽子居為「可教」 ，如今卻不可也，是因為陽子居：

•  飽食終日，無所事事

•  態度跋扈，目空一切

•  趨炎附勢，卑躬屈節

•  行為不端，違背仁德

• 9 承上題，陽子居聽了老子的教誨後， 「其反也，舍者與之爭席矣。」其中「爭席」可 用以比喻：

•  奮發向上，求取進步

•  競相搶先，務求勝過別人

•  地位崇高，受眾人擁戴

•  彼此融洽無間，不拘禮節

• 金谷繁華，平泉佳麗，以及洛陽諸名園，皆勝甲一時，迄於今，求頹垣斷瓦之彷彿 而不可得，歸於烏有矣。所據以傳者，紙上園耳。即令余有園如彼，千百世而後， 亦歸於烏有矣。夫滄桑變遷，則有終歸無；而文字以久其傳，則無可為有，何必紙 上者非吾園也。 （劉士龍〈烏有園記〉 ）

下列選項，最接近本文意旨的是：

•  洛陽紙貴，子虛烏有

•  立言不朽，藏諸名山

•  陵谷滄桑，時不我與

•  頹垣廢址，黍離麥秀

• 10

111 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22130 頁次： 3 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：高等電子電路學（包括類比與數位）

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、如圖所示為達靈頓（ Darlington ）電路，若電晶體 VBE1 = VBE2 = 0.7 V 、 β 1 = 49 、 β 2 = 99 、 VCC = 15 V 、 RB = 500 kΩ 、 RE = 0.2 kΩ 、熱電壓 VT = 25 mV 。 試求：

•  直流基極電流 IB1 、直流輸出電流 Io 分別為何值？（ 10 分）

•  電路之輸入阻抗 Zi 、輸出阻抗 Zo 分別為何值？（ 10 分）

•  直流總電流增益 AIT = Io / Ii 為何值？（ 5 分）

Zi

vi

Ci

RB

IB

1

Ii

Q

1

Q

2

RE

Io

Zo

vo

Co

VCC

二、  試以 NAND 閘及反相器繪出時控 D 型正反器之邏輯電路圖。 （ 5 分）

•  下圖分別為時控 D 型正反器之 D 及時序（ clock ）之輸入波形，試繪 出其輸出 Q 之相對應波形（假設 Q 的初值為 0 ） 。 （ 5 分）

•  試以全 -CMOS 方式繪出布林函數： 1 1 2 3 1 2 (A A A )(B B )C Y     之電 路圖。 （ 10 分）

D:

clock:

t0

t1

t2

t3

t4

t5

t6

t7

t8

t9

座號：

三、如圖所示理想運算放大器電路：

 若 R1 = 2 kΩ 、 R2 = 3 kΩ 、 R3 = 5 kΩ ，試推導並計算 Ri 值。 （ 15 分）

R

3

R

2

R

2

Ri

R

1

2

R

1

vo

vi

OA

2

OA

1

 若 R1 = 1 kΩ 、 R2 = 2 kΩ 、 R3 = 0.5 kΩ 、 RG = 5 kΩ ，輸入電壓 v1 = 0.5 V 、 v2 = 1.2 V ，試推導並計算 vo 。 （ 15 分）

OA

2

OA

1

R

1

R

2

v

1

v

2

v o

R

1

R

2

R

3

RG

• 四、如圖所示 MOSFET 串接放大器電路，若 RG1 = 1.5 MΩ 、 RG2 = 0.3 MΩ 、 RD1 = RD2 = 12 kΩ 、 RS1 = RS2 = 1 kΩ 、 RL = 10 kΩ 。 MOSFET 之參數： gm1 =2 mS 、 gm2 =1 mS 、 rd1 = rd2 = 20 kΩ 。試求：

•  輸入阻抗 Zi 為多少？（ 5 分）

•  總電壓增益 AvT = vo / vi 、總電流增益 AiT = io / ii 分別為多少？（ 10 分）

•  若將電容 CS1 及 CS2 開路，假設 gm1 及 gm2 值不變，且 rd1 及 rd2 忽略不 計，則總電壓增益 AvT 為多少？（ 10 分）

RL

VDD

vi

vo

ii

Ci

Zi

RD2

Q

1

Q

2

CS1

RS1

RG2

RG1

RD1

Co

io

RS2

CS2

111 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22140 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電路分析

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。



請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、如下圖所示之三相四線、相電壓為 100 V 、負相序電源系統，供電給兩 個三相四線 Y 連接不平衡電阻器負載。已知由三相電源看入為一個等效 的三相平衡負載，試求電阻器 R 1 及 R 2 之值，並求出中性線電流 I n 之值。 （ 25 分）

R

1

R

2

20

Ω

10

Ω

30

Ω

20

Ω

a

b

c

I

n

n

二、一部單相感應電動機做為一棟大樓的抽水馬達使用，該馬達以一條交流 電纜線連接到 220 V 、 50 Hz 的單相電源。已知該馬達之等效串聯電阻、 電感分別為 30  、 0.5 H ，假設交流電纜線的阻抗可以忽略不計。試求該 馬達之等效阻抗以及該馬達的實功、虛功、功率因數、視在功率、複數 功率之值。 （ 25 分）

三、一個理想運算放大器電路如下圖所示，已知該電路之參數分別為 R = 10 k  、 L = 10 H 、 C = 10  F 、 vin ( t ) = 10 cos(  t ) V ，試求輸出電壓 vout ( t ) 之表示式。 （ 25 分）

OPA

R

C

vin

10

Ω

vout

L

座號：

四、一個理想的串聯 RLC 電路連接至一個理想的電流源如下圖所示，已知該 理想電流源之電流表示式為 i ( t ) = ( t + 5) A 。假設 0.2 F 電容器之初始電 壓為 vC (0) = 10 V ，試求 v ( t ) 、 vR ( t ) 、 vL ( t ) 、 vC ( t ) 之表示式。 （ 25 分）

10

Ω

v

(

t

)

5 H

0.2 F

i

(

t

)

vC

(

t

)

vL

(

t

)

vR

(

t

)

111 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22150

頁次： 1 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：積體電路技術

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目得以本國文字或英文作答。

一、以 p -type substrate N -well CMOS 製程為例，請畫出一個 CMOS 反相器 （ inverter ）的 cross section diagram ，並標明所有的摻雜類型、電路連接 與端點（含輸入及輸出） 、及電路操作時所需連接的電壓準位。 （ 35 分）

二、說明何為 body effect ？如果使用第一題所述 CMOS 製程的 NMOS 電晶 體設計一個 cascode amplifier ，是否會有 body effect 的問題？請畫出放大 器之電路圖並說明原因。 （ 25 分）

三、有一個振盪器由 7 個相同的 CMOS 反相器以環型串接所組成如下圖， CMOS 反相器從輸入到輸出端的延遲是 12 ps ，請列式計算出此振盪器 的最快振盪頻率 fout 為何？在不更改製程及反相器數目的前提下，有什 麼方法可以提高振盪頻率？原因為何？（ 20 分）

fout

四、說明何為共模拒斥比（ CMRR ）？如果輸入端的信號成分包含一個 10-mV-rms 10 kHz 的差動信號及一個 1-V-rms 60 Hz 的共模信號，且輸 出需要將共模信號抑制到比差動信號小至少 60 dB ，所用的差動放大器 的共模拒斥比至少需要有多少？（ 20 分）

座號：

111 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22160 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電子元件

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

•  本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、考慮半導體中電場對電子傳導的影響。 （每小題 10 分，共 20 分）

•  請說明漂移速度（ drift velocity ） 、飽和速度（ saturation velocity ） 、與位 移率（ mobility ） 。

•  就直接能隙半導體例如 GaAs 、 InP 與間接能隙半導體例如 Si ，分別說 明從低電場到高電場，電子漂移速度如何隨電場變化。

二、考慮一個金屬 /n型半導體蕭基接面（ Schottky contact ） ：

• （每小題 10 分，共 20 分）

•  就理想的上述金屬 /n型半導體蕭基接面，說明其蕭基位障（ Schottky barrier ）是由那些物理參數決定？若要形成具有整流特性蕭基接面的 條件為何？

•  舉出兩種量測蕭基位障的方法並說明之。

• 三、半導體 PN 接面的崩潰（ breakdown ）有兩種機制分別為累增崩潰 （ Avalanche breakdown ）與曾納崩潰（ Zener breakdown ） 。分別說明這兩 種崩潰的物理機制，並由其機制說明崩潰電壓與溫度的關係。 （ 20 分）

• 四、考慮一個由同一種半導體所構成的 P + N 接面。 （每小題 10 分，共 20 分）

•  說明 P + N 接面空乏區（ depletion region ） 、內建電位（ built-in potential ） 形成的物理原因，並指出空乏區電場的指向。

•  以擴散電流理論（ diffusion current theory ）考慮接面在順偏之下的主要 電流流動過程。請問主要電流為何種電流？說明其流經空乏區、進入 中性區後的物理過程。

座號：

• 五、考慮一個由金屬、氧化物、矽構成的 MOS 電容系統。金屬的工作函數 為 4.1 eV 。氧化物的能隙為 8 eV ，親和力（ affinity ）為 0.75 eV ，厚度為 4 nm ，介電係數為 3.8 。矽的能隙為 1.1 eV ，親和力為 4.15 eV ，介電係 數為 11.8 。若矽經摻雜的電洞濃度為 1 × 10 17 /cm 3 ，矽在 300 K 的 NC = 2.8 × 10 19 /cm 3 ， NV = 1.04 × 10 19 /cm 3 。波茲曼常數為 8.62 × 10 -5 eV/K 。 （每小題 10 分，共 20 分）

•  畫出此金屬、氧化物、矽 MOS 系統的平能帶圖（ flat band diagram ） 。 並求此 MOS 系統的平能帶電壓 VFB （ flat-band voltage ） 。

•  求氧化物電容的值 ， 以 F/cm 2 為單位。 真空介電係數 ɛ 0 = 8.854 × 10 -14 F/cm 。 單位電荷 q = 1.6 × 10 -19 C ，若在氧化物與矽的介面出現一層面濃度為 4 × 10 11 /cm 2 的正電荷，請問平能帶電壓的變化會如何？