113 年公務人員高等考試二級考試試題 代號： 20110-22710 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：憲法與英文

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、 憲法第 11 條規定： 「人民有言論、講學、著作及出版之自由。」上 開規定除「講學自由」 ，大法官曾於司法院釋字第 380 號解釋指出： 「講 學自由之規定，係對學術自由之制度性保障」外，憲法第 11 條所保障之 權利一般通稱為「表現自由」 。

請依司法實務見解、主要學說分析：商業廣告是否受憲法上「表現 自由」之保障？藥事法第 66 條第 1 項規定： 「藥商刊播藥物廣告時，應 於刊播前將所有文字、圖畫或言詞，申請中央或直轄市衛生主管機關核 准，並向傳播業者送驗核准文件。」之規定 ， 是否違反禁止「事前審查 原則」？（ 30 分）

二、英譯中： （ 20 分）

'Land art,' an art using the environment to make an artistic point, is consistently debated for its ethics. Many of its artworks are about the relationship between humans and the natural environment, including the harm we often do to our planet. While many deem this form of art as a necessary evil, others believe that the harm to the environment caused by land art cannot be justified by the intention to spread awareness to a cause, however laudable. Some infamous instances include surrounding islands with floating fabric, and wrapping trees in plastic. These works have not only sparked ethical debates but ecological and legal ones as well.

三、中譯英： （ 20 分）

近年來，以真實犯罪為題材的媒體，無論是播客還是影片形式，其人氣 飆升的現象已經不再是什麼秘密。這個題材廣為流行，不僅僅是因為其 娛樂性，還因為這一類型的作品可能解決懸案、讓久被忽視的案件重新 曝光、並教育觀眾如何避免和預防自己身陷悲慘的情境。此外，許多人 被真實犯罪媒體吸引，是因為它揭示了大多數人一生當中都不會經歷的 黑暗人性。然而，犯罪現場的細節該披露到什麼程度，以及在創作真實 犯罪內容時是否獲得了倖存者和家屬的同意，這些都引發了倫理上的顧 慮。

座號：

• 四、英文作文：請根據下面的說明寫一篇約 300 字的英文作文（ 30 分） The concept of 'social death' refers to a condition where an individual is marginalized, isolated, or excluded from society, often leading to a loss of identity, dignity, and community connections. How does social death manifest in modern society, and what are its implications for individuals and communities? Write an essay about 300 words to discuss (1) the causes and consequences of social death, and (2) explore potential solutions to address this issue. It is suggested that the writing include examples of social death incidents drawn from real-life cases, news reports, or personal experiences.

代號：

20120-22720

頁次：

4 － 1

113 年公務人員高等考試二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：國文（作文）

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答，於本試題上作答者，不予計分。

 不得於試卷上書寫姓名或座號。

請先閱讀下列二篇文章，並回答問題：

文章一：

日本人常說， 「不要唯才是用」 ，因為有才華的人經常會炫耀自己的 才能，變得很傲慢，從日本航空的例子中就能理解這點。

過去日本航空的組織本質是「國家企業」 ，那些作風官僚的領導幹部 只依靠「才能」來經營整個企業。幹部與社員也都是非常優秀的菁英人 才，擁有高學歷、舉止溫文儒雅，但多數是形式上的禮儀，實則從不「用 心」於如何努力提升企業整體，遑論反思何謂正確的「思考方式」 。

那種只擁有才能的人如果掌握大權、執企業牛耳，將會導致組織全 體忽略「身為人最重要的事物」 。這樣的組織當然也不會重視客戶的需 求，因此日本航空才會產生兩兆三千億日圓的巨額債務，經營出現巨大 破洞。

就像時諺所說，能夠驅使「才能」的唯有「心」 ，我們必須用「思考 方式」來活用自己的能力才行。失去心只剩下才能的人很容易「被才能 淹沒」 ，最後一定會走向失敗。因此，就人的角度而言，持有正確、也就 是正向的「思考方式」 ，然後以「提高心志」去發揮才華，這件事直接關 聯到成功與否。

那麼，我所構想的正面「思考方式」 ，與相對的負面「思考方式」 ， 究竟為何？

總括來說，正面的「思考方式」就是正義、公平、努力、謙虛、正 直、博愛、利他等概念，係屬肯定的邏輯倫理，這是普行世界的通則。

座號：

至於反向的負面「思考方式」 ，即是相對於正面「思考方式」而產生的 概念，列舉如下表：

由上表所示的兩種「思考方式」得知，如果想讓自己的人生變得美好， 那麼無論在面對幸運或災難時，都要能以正面「思考方式」做為基礎，採取 行動，才是最佳策略。

這雖看似簡單容易的事，但許多人在面臨突然降臨的機會時，往往很容 易就忘記這項人生的鐵則。

當遇到堪稱是災難的困境時，這些人往往被痛苦打敗，開始怨恨世界、 忌妒他人，慨歎自己遭遇不幸，甚至憤世嫉俗。我看過很多人因為如此負面 思考，遂使人生更加陷入晦暗低谷而痛苦不已。此外，也有人遇到令人豔羨 的好運，本應心懷感激，卻視為理所當然，甚至還貪得無厭地想擴張自己的 私慾，變得傲慢不羈，忘了謙卑。這類人即便帶給周遭麻煩與不便，自己也 絲毫不察，屢屢做出自私自利之舉。但往往下場並不好，在享受百年難得一 遇的幸運時，也就開始走向沒落了。

對自己的人生道路才要開展的年輕人而言，絕對不可以重蹈這種覆轍。 無論遭遇到幸運或災難，要養成用正面「思考方式」的習慣並以此引領自身 才能，努力去實踐，我認為，這可以說是人生鐵則的極致。

（改寫自稻盛和夫《思考之道》 ）

文章二：

曹操之所以能取天下於群雄之首，固然有賴自身之雄才大略，更得 益於「挾天子以令諸侯」的政治優勢。尤其是曹操深知「得人才者得天 下」的道理。早在與袁紹共同起兵之初，在與袁紹論及「何所可據」時， 袁紹說： 「吾南據河，北阻燕、代，兼戎狄之眾，南向以爭天下，庶可以 濟乎？」曹操說： 「吾任天下之智力，以道御之，無所不可。」其識見之 高於袁紹真是不可以千里計！

除此，曹操曾三次發出《求才令》 ，建安十五年春的《求才令》 ： 「自 古受命及中興之君，曷嘗不得賢人君子與之共治天下者乎？及其得賢 者，曾不出閭巷，豈幸相遇哉？上之人求之耳。今天下尚未定，此特求 賢之急時也。」 「二三子其佐我明揚仄陋，惟才是舉，吾得而用之。」正 是基於這樣的認識，他不遺餘力，大力網羅天下英才，對夤夜來奔的許 攸他跣足出迎；對草檄申討罪狀的陳琳仍愛其才而不咎。由於這樣，在 曹操帳下很快地聚集起一大批文韜武略之士，形成了一個「文武並用， 英雄畢力」的局面。

延攬人才固屬不易，如何駕馭和使用才是事業興衰成敗的關鍵。這 一點，對於曹操來說並不難，他本身就是一個文武雙全的領袖人物，各 路人才追隨他猶如眾星捧月一般，使得曹操可以因才施用、擇善而從、 善集眾智、善納群言。每有大事，曹操總是集中群臣共同商議，充分聽 取大家的意見，然後形成決斷。這與劉備、孫權僅倚重幾個人，而這幾 個人殫精竭慮、鞠躬盡瘁也難成大事，形成鮮明對比。

（改寫自方東野《曹操最聰明的用人之道》 ）

請回答下列問題：請標明題號作答

•  常言道「唯才是用」 ， 「才能」作為職場上被拔舉的重要因素，向來是標竿 原則。然而稻盛和夫卻指出其不妥之處，原因為何？他認為「人最重要的 事物」是什麼？（ 300 字以內。 20 分）

•  你認不認同「文章一」稻盛和夫的說法？「文章二」論曹操任才的觀點又 與稻盛和夫略有異同，請你由自己報考專業出發，擇一立場（認同或不認 同） ，結合文章一、二，列舉古今中外的例子，以及自身經驗，進行正反論 辯，以「 『唯才是用』與『正面思考』的成功要訣」為題，撰寫一篇至少 三段的完整文章。 （ 80 分）

代號：

22530

頁次：

3

－

1

113 年公務人員高等考試二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：高等電子電路學（包括類比與數位）

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、以 NPN BJT 設計如圖一之電子開關電路驅動 4V-32W 的燈泡：數位輸入 Vi = +5 V 時，燈泡全亮； Vi = 0 V 時，燈泡無電流。  = 39 ， VBEon = 0.7 V ， VCEsat = 0.2 V ，唯 VCE  0.3 V 方可確認 NPN BJT 工作於非飽和區。驅 動本開關的電流 Iin 不超過 5.05 mA 。畫出此開關的電路並詳列分析數學 式與說明。 （ 20 分）

圖一

4 V

32 W

VCC

=+5 V

• 二、圖二使用理想運算放大器， Ho ( s ) = Vo / Vi ， Ha ( s ) = Va / Vi ， Hb ( s ) = Vb / Vi ， s = j 2  f ， f = 頻率。 （ 20 分）

•  若 Va 、 Vb 、 Vi 已知且 Vo (  ) = aVa + bVb + cVi ，則 a 、 b 、 c 各以元件變數 表示之數學式為何？

•  若 Vo 已知，且 Va = xVo ， Vb = yVo ，則 x 與 y 以元件變數表示之數學式 為何？

•  Ho ( s ) 、 Ha ( s ) 、與 Hb ( s ) 各為何種濾波函數（高通、低通、帶通、全通、 帶止）？階數為何？

圖二

座號：

• 三、圖三 (a)BJT ro  ，低頻頻率響應 H ( s ) 如圖三 (b) 數學式， s = j  ，  為角 頻率 rad/sec 。 （ 20 分）

•  從電路的結構與特性，定性說明（無推導、無計算）為何 H ( s ) 的分母 與分子均為 s 的二階函數。

•  根據 H ( s ) 數學式，說明應如何處理圖三 (a) 電路元件以利求算 AM 。

•  已知並可證明  C 1 = 1/ RC 1 C 1 ，  C 2 = 1/ RC 2 C 2 ，則 RC 1 與 RC 2 之數學式為 何？

•   C 1 =  C 2 =  C 時， 3-dB 頻率點  L 為何？

圖三

(a)

圖三

(b)

四、圖四回授放大器上虛線框內為基本放大器，下虛線框內回授網路 Ri  << Rsig + Ri ， Ro  >> Ro + RL 。定義  i = Ri /( Rsig + Ri ) ，  o = RL /( Ro + RL ) ，推 導以下參數數學式，以圖中之變數表示。 （ 20 分）

•  電壓增益 Avf = Vo / Vsig ，

•  由 Rsig 往右側看之電阻 Rif （不含 Rsig ） ，

•  由 RL 往左側看之電阻 Rof （不含 RL ） 。

• 五、圖五 (a) 電路中， VDD = +5 V ，輸入為數位信號 W 與 X ，輸出為數位信號 Y 與 Z 。數位信號為 '1' 時，電壓 + VDD ；數位信號為 '0' 時，電壓為零。使 用邏輯閘電路符號（ circuit symbol ）畫出對應於圖五 (a) 的數位電路，以 及對應於圖五 (b) W 與 X 時序之 Y 與 Z 隨時間變化的波形。 （ 20 分）

圖五

(a)

代號：

22540

頁次：

2 － 1

113 年公務人員高等考試二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電路分析

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

• 

• 



不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。 本科目得以本國文字或英文作答。

• 一、如圖一所示電路，若 v1(0-) = 4 V ， i1(0-) = 2 A 。在時間 0 秒時，開關瞬間 從 'a' 移動到 'b' 。

 試求電流 i1(t) 之微分方程式。 （ 6 分）

 試求 i1(t) 的電流時域解。 （ 14 分）

圖一

0.4 H

t=0

秒

i1(t)

1 A

1

v1(t)

a

b

0.5 F

5

• 二、如圖二，電容之起始電壓為 Vo(0-) = 0 V ，電感之起始電流為 i1(0-) = 0 A 。 以拉普拉斯轉換法求 Vo(t) 。 （ 25 分）

圖二

1

0.25 H

i1(t)

1u(t) V

Vo(t)

0.2i1(t)

0.16 F

• 三、  求圖三電路的傳輸函數（ transfer function ） T(s) = vo(s)/vi(s) 。 （ 15 分）  此電路之共振角頻率（ resonance angular frequency ）及品質因數 Q （ quality factor ）之值為何？（ 10 分）

vo(s)

16 F

10

Ω

1 F

10

Ω

vi(s)

座號：

四、  請畫出圖四 a 與 b 端點間於相量空間之戴維寧等效電路。 （ 20 分）

•  將阻抗 Z 接於 a 與 b 端點，若要把最大功率傳送至阻抗 Z ，請問阻抗 值 Z 應設計為多少？（ 5 分）

（皆以極座標表示答案）

圖四

a

Z

3V1

2.5 H

10

0.5 F

25cos(2t+10 o )V

b

V1

代號：

22550

頁次：

2

－

1

113 年公務人員高等考試二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：積體電路技術

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、請分別敘述半導體製程中所使用的蝕刻製程技術（ Etching technology ） 與舉離製程技術（ Lift-Off technology ） ，並比較兩者缺點及解決方案。 （ 20 分）

• 二、關於被動積體元件（ Passive discrete devices ）的設計，請回答下列問題：  一個具有介電層的金屬氧化半導體（ MOS ）元件，面積為 2 4 μ m ，介電 層厚度為 10 nm ，使用介電常數 r  （ Dielectric constant ）為 25 的五氧化 二鉭 2 5 (Ta O ) 當介電層，當該 MOS 元件外加偏壓為 5 伏特時，試分別 求出該 MOS 元件可以儲存的總電荷量與每平方公分產生的電子數。 （ 10 分） （設真空中介電常數 o  為 14 8.85 10 F/cm   ）

•  試設計一個具有 10 nH 電感值（ L ）的方形平面螺旋形積體電感，若電 感圈數為 20 ，則所需的方形平面螺旋半徑應為多少？（ 10 分）

 為 6 1.2 10 H/m  

• （設真空中介磁常數 o ） （各小題均計算至小數點後第二位）

• 三、試分別說明晶體成長時產生如下的四種晶體缺陷（ Crystal defect （每小題 5 分，共 20 分）

•  點缺陷（ Point defect ）

•  線缺陷（ Line defect ）

•  面缺陷（ Area defect ）

•  體缺陷（ 3-D defect ）

座號：

） ：

• 四、使用擴散技術（ Diffusion technology ）將矽（ Silicon ）晶體摻雜三族元素 硼原子（ Boron ）形成 p 型半導體，若擴散時外加溫度為 1000℃ ，擴散 時間 t 為 1 小時，矽晶體表面的硼濃度 s C 維持在 19 3 10 cm  ，假設在 1000℃ 時，硼在矽晶體的擴散係數 D 為 14 2 2 10 cm /s   ，若擴散方程式為

0 ( ) , C x t  ，在表面 0 x  時的濃度邊界條件為 , ( ) s C x t C  ，在距離表面極遠 處 x   時的濃度邊界條件為 ( 0 ) , C x t  ，試求出： （每小題 10 分，共 30

•  硼原子在矽晶體的擴散長度 L （ Diffusion length

• 

• 每單位面積的硼雜質原子總數

•  在表面 0 x  處的擴散梯度 （各小題均計算至小數點後第二位）

• 五、以 0.25 μ m 以下之積體電路製程製造互補式通道金氧半場效應電晶體 （ CMOSFET ）時，會使用 n  複晶矽作為 p 通道金氧半場效應電晶體 （ PMOSFET ） 與 n 通道金氧半場效應電晶體 （ NMOSFET ）的閘極 （ Gate ） ， 此時， PMOSFET 可以使用離子佈植（ Ion implantation ）加入硼原子調整 臨界電壓（ Threshold voltage ） ，但會使得 PMOSFET 的通道變成埋藏式 通道（ Buried channel ） ，試回答下列問題：

•  這會產生何種效應？（ 4 分）

•  如何解決改善？（ 6 分）

分） ）

代號：

22560

頁次：

1 － 1

113 年公務人員高等考試二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電子元件

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、何謂蕭特基二極體？在此元件中，需有兩個電極，請說明此兩個電極與 半導體之接觸須符合什麼關係。 （ 20 分）

• 二、請畫出目前高效率之發光二極體基本結構，請說明其發光區在何處。 （ 20 分）

• 三、何謂 HEMT ？以 GaN 系列為例，請畫出其基本結構，並說明各層之功 能。 （ 20 分）

• 四、那一種電晶體結構既符合省電又符合高速傳輸之功能。 （ 20 分）

• 五、請說明太陽能電池之工作原理，若以電流 -電壓關係圖，其工作區域為何， 請畫出並請說明為什麼？（ 20 分）

座號：