102 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ：

等 別： 二級考試

類 科： 各類科

科 目： 憲法與英文

考試時間：

2 小時

座號：

• ※注意：  禁止使用電子計算器。  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、我國憲法條文中具有本質之重要性，為憲法整體基本原則及修憲界限之所在，乃現 行憲法規範秩序賴以存立之基礎者，凡憲法機關均有遵守之義務。這些憲法之基本 原則為何？請依司法院大法官解釋意旨說明之。（ 25 分）

• 二、某甲為經登記領照執業之藥師，其先以藥師身分登記執業於嘉義縣 A 藥局，後兩度 申請至臺中市 B 藥局支援調劑工作，卻皆為嘉義縣政府依據藥師法第 11 條規定： 「藥師經登記領照執業者，其執業處所應以一處為限。」予以否准，某甲不服，迭

經訴願及行政訴訟敗訴確定，因而主張確定終局裁判所適用之前開規定有違憲之疑 義聲請釋憲，對此問題司法院大法官有何相關解釋與說明？（ 25 分）

• 三、英翻中：請將下列英文翻成中文。（ 10 分）

Single-parent families currently account for only 7.6% of all households (560,000), but that proportion has grown by 50% over the last decade. The increase in single-mother families has been particularly pronounced: they account for 74% of households of this type, up from 65% a decade ago.

• 四、中翻英：請將下列中文翻成英文。（ 10 分） 健康減重必須找到新的生活平衡點，如改掉吃美食的習慣，或由開車通勤改成走路、

騎腳踏車等，從生活作息的改變，減少熱量攝入、增加熱量消耗，才是根本之道。

五、英文作文：（ 30

分）

Which is more important? Family or career?

Write an essay of about 250 words to express your opinion.

代號：

20120

|

23520

頁次：

4 － 1

102 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題

等 別：二級考試

類 科：各類科

科 目：國文（作文、公文與測驗）

考試時間：

2 小時

※注意：禁止使用電子計算器。

甲、作文與公文部分：

 請以藍、黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答，於本試題上作答者，不予計分。  不得於試卷上書寫姓名或入場證號。

一、作文：（

60 分）

長期以來， GDP （ Gross Domestic Product ，國內生產總值）被用為衡量一國 經濟發展與社會進步的主要指標。然而近年各國已逐漸揚棄經濟掛帥的迷 思，轉而展開衡量人民福祉的相關研究，謂之「幸福指數」。此類評量並非 依據民眾的主觀感受，而是採取多面向的架構，建立客觀的評量指標，如醫 療水準、教育程度、貧富差距、社會福利等。據實考察幸福指數，必有助於 一國上下齊心協力，追求共同的幸福前景。試以「政府當前如何提升國人 幸福指數」為題，寫一篇內容完整的語體文。

二、公文：（ 20 分）

因應颱風季節即將來臨，為健全災害防救體制，強化災害防救功能，以確保 人民生命、身體、財產之安全及國土之保全，試擬內政部致各直轄市政府及 各縣市政府函，要求落實「災害防救法」，儘速設置災害防救會報，以擬訂 地區災害防救計畫、重要災害防救措施及對策，及轄區內災害之緊急應變措 施。各直轄市及縣市政府除增加對於轄下鄉鎮市（區）的援助及各項教育訓 練外，並應責成鄉鎮市（區）加強執行「正確的災情查報」、「受災初期的 緊急簡易處理」、「災民初期收容」及「引導與協助支援單位救災工作」， 尤應針對地處偏遠或災害潛勢較為嚴重之鄉鎮市（區）公所加強督導。必要 時得請求國防部運用後備軍人支援災害防救，以提升救災戰力。本公文另以 副本發送經濟部、行政院農業委員會、交通部、行政院環境保護署。

座號：

乙、測驗部分：（ 20

分）

代號： 2201

 本測驗試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。  共 10 題，每題 2 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題或申論試卷上作答者，不予計分。

依下文回答第 1 至第 2 題

「長沮、桀溺耦而耕，孔子過之，使子路問津焉。長沮曰：『夫執輿者為誰？』子路 曰：『為孔丘。』曰：『是魯孔丘與？』曰：『是也。』曰：『是知津矣。』問於桀溺。 桀溺曰：『子為誰？』曰：『為仲由。』曰：『是魯孔丘之徒與？』對曰：『然。』 曰：『滔滔者天下皆是也，而誰以易之？且而與其從辟人之士也，豈若從辟世之士哉！』 耰而不輟。」（《論語．微子》）

• 1 長沮回答子路說「是知津矣」，此語所含之語氣，最接近於下列何者？

•  責罵

•  譏諷

• 2 桀溺對於孔子周遊列國的看法是：

•  與其周遊列國，不如致力培育人才

•  不必畏懼艱險，終能挽救時代之頹勢

•  應該多遊說隱居之士，一起為混亂的時局打拼

•  時局混亂，難以改變，不如和他們一樣隱居起來

• 3 「景公好弋，使燭雛主鳥而亡之，景公怒而欲殺之，晏子曰：『燭雛有罪，請數之 以其罪，乃殺之。』景公曰：『可。』於是乃召燭雛數之景公前曰：『汝為吾君主 鳥而亡之，是一罪也；使吾君以鳥之故殺人，是二罪也；使諸侯聞之以吾君重鳥而 輕士，是三罪也。』數燭雛之罪已畢，請殺之。景公曰：『止。』勿殺而謝之。」 （《說苑．正諫》）

景公最後不殺燭雛的原因是：

•  律設大法，禮順人情

•  察納雅言，不願傷仁敗德

•  廣納人才，禮賢下士

•  審情度勢，懼怕諸侯來犯

• 4 「余昔少年讀書，竊嘗怪顏子以簞食瓢飲，居於陋巷，人不堪其憂，顏子不改其樂； 私以為雖不欲仕，然抱關擊拆，尚可自養，而不害於學，何至困辱貧窶，自苦如此！ 及來筠州，勤勞鹽米之間，無一日之休，雖欲棄塵垢，解羈縶，自放於道德之場， 而事每劫而留之；然後知顏子之所以甘心貧賤，不肯求斗升之祿以自給者，良以其 害於學故也。」（蘇轍〈東軒記〉，《欒城集》）

以下選項，何者最接近作者心境？

•  羨慕顏回「簞食瓢飲」的生活

•  期望擺脫俗務，追求心靈自適

•  學而優則仕乃其一生追求的目標

•  官位雖小，但可兼顧進德修業，頗感安慰

•  勉勵

•  肯定

|

代號：

20120

|

23520

頁次：

4 － 3

• 5 吾聞之：「六國合從，而辯說之材出；劉、項並世，而籌畫戰鬥之徒起；唐太宗欲 治，而謨謀諫諍之佐來。此數輩者，方此數君未出之時，蓋未嘗有也；人君苟欲之， 斯至矣。今亦患上之不求之、不用之耳。天下之廣，人物之眾，而曰果無材可用者， 吾不信也。」（王安石〈材論〉）

• 有關這段文字的分析，下列何者為非？

•  能正確選用人才，是領導者的職責

•  人才難求，乃人君圖治的最大難題

•  時代有什麼需求，便會產生相應的人才

•  歷來成就功業者，皆有賴於賢才的輔佐

• 6 澠池道中，有車載瓦甕，塞於隘路。屬天寒，冰雪峻滑，進退不得。日嚮暮，官私 客旅群隊，鈴鐸數千，羅擁在後，無可奈何。有客劉頗者，揚鞭而至，問曰：「車 中甕直幾錢？」答曰：「七八千。」頗遂開囊取縑，立償之，命僮僕登車，斷其結 絡，悉推甕於崖下。須臾，車輕得進，群噪而前。（［唐］李肇，《唐國史補》） 下列敘述，何者為非？

•  車馬壅塞在澠池道上，是因車輛競相爭速之故

•  劉頗以縑償甕的行為展現出見義勇為的性格與快刀斬亂麻的作為

•  在困頓危難的處境裏，特別需要劉頗這樣有決斷力而且不囿於常規的人

•  劉頗償甕斷絡、推甕崖下，是為了減輕車子的重量，並補償客旅的損失

• 7 「待詔賈讓奏言：治河有上、中、下策。古者立國居民，疆理土地，必遺川澤之分， 度水勢所不及。大川無防，小水得入，陂障卑下，以為汙澤，使秋水多，得有所休 息，左右游波，寬緩而不迫。夫土之有川，猶人之有口也。治土而防其川，猶止兒 啼而塞其口，豈不遽止，然其死可立而待也。故曰：『善為川者，決之使道；善為 民者，宣之使言。』」（《漢書．溝洫志》）

• 文中論及治理百姓的道理，與下列何者強調的重點最為相應？

•  道之以政，齊之以刑，民免而無恥；道之以德，齊之以禮，有恥且格（《論語． 為政》）

•  以善服人者，未有能服人者也。以善養人，然後能服天下。天下不心服而王者， 未之有也（《孟子．離婁下》）

•  是以治水者，惟能使之日夜流注而不息，……。故夫天下亦不可不為少決，以順 適其意也（蘇轍〈君術策〉五）

•  是以泰山不讓土壤，故能成其大；河海不擇細流，故能就其深；王者不卻眾庶， 故能明其德（李斯〈諫逐客書〉）

|

• 8 「吳隱之性廉操，為廣州刺史。界上一水謂之貪泉，古老云：『飲此泉水者，廉士 皆貪。』隱之至，酌而飲之，賦詩云：『古人言此水，一歃懷千金。試使夷齊飲， 終當不易心。』清操愈厲。」（王罃《群書類編故事》） 下列選項，何者為非？

•  貪與不貪，在於人心

•  伯夷叔齊為正直清廉之士

•  凡飲貪泉者，必生貪心

•  隱之飲貪泉後，更加注重操守

• 9 下列各選項中畫底線的文句，是對其前面的文句（未畫底線者）進行「舉例說明」 的是：

•  君子之於禽獸也，見其生，不忍見其死；聞其聲，不忍食其肉；是以君子遠庖 廚也

•  一羽之不舉，為不用力焉；輿薪之不見，為不用明焉；百姓之不見保，為不用 恩焉

•  寡人之於國也，盡心焉耳矣，河內凶，則移其民於河東，移其粟於河內；河東凶 亦然

•  穀與魚鼈不可勝食，材木不可勝用，是使民養生喪死無憾也；養生喪死無憾，王 道之始也

• 10 「在十五、六歲的時候，當大家搖滾著靈魂，隨聲唱和著熱門歌曲，我卻獨自走進 文學界去拾荒，這也是寂寞。但我清楚自己，唱熱門歌曲，可沒有那樣時髦的歌喉。 隨聲附和，其結果唯有荒腔走板，連自己也聽不進去。吟哦著唐詩宋詞，倒也有怡 然自得的樂趣。到理工界去淘金，我沒有擠熱鬧的興致，更不願在走不動之時，被 別人踩在腳下。進文學界去拾荒，縱使五步一噣，也覺得適意。」（顏崑陽〈傳燈 者〉）

作者在文中陳述「獨」的心境，與下列何者最為接近？

•  眾醉獨醒，憤世嫉俗

•  踽踽獨行，樂在其中

•  率性隨緣，獨具一格

•  無為無求，獨步當時

102 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ： 22330 全一張 （正面）

等 別： 二級考試

類 科： 電子工程

科 目： 高等電子電路學（包括類比與數位）

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、圖一為二極體電路，其輸入為 50 V rms 、 60 Hz 之電源，設二極體為理想。

•  請繪出輸入電壓波形、輸出電壓（ Vout ）波形，並求輸出峰值電壓。此電路功能為 何？（ 12 分）

•  求輸出信號的直流電壓，請詳細列出推導過程。（ 5 分）

•  圖中所使用的二極體，其最小可承受之峰值反向電壓（ peak inverse voltage ）為何？ （ 3 分）

圖一

D

2

D

1

Vout

50 V rms

10 k

Ω

10 k

Ω

10 k

Ω

• 二、圖二 (a) 是一個 CMOS 邏輯閘，其中 VDD =5 V ，臨界電壓 Vth (n)=Vth (p)=1 V ， kn ' = kp ' =0.2 mA/V 2 ，負載電容 CL =2 pF ，各電晶體的 W / L =1 。 NMOS 的電流電壓關 係式如圖二 (b) 。

•  請列出輸出 Y 與輸入 A 及 B 的關係。請問這是什麼邏輯閘？（ 5 分）

•  一個邏輯閘的下降傳遞延遲（ propagation delay ） t PHL 定義為從初值下降至初值 50% 所需時間，計算此邏輯閘的 t PHL 。（請注意， t PHL 值會受到輸入組合的影響） （ 10 分）

•  t PLH 定義為從初值上升至終值 50% 所需時間，請問此邏輯閘之 t PLH 為何？（請注 意， Q 3 與 Q 4 為串聯，同時導通時可視為單一 PMOS ，而其通道長度為 Q 3 與 Q 4 通道長度之和）。（ 5 分）

Q

4

Q

3

Q

2

Q

1

CL

A

B

V

DD

Y

(

)

(

)

⎪

⎪

⎩

⎪

⎪

⎨

⎧

<

⎟

⎠

⎞

⎜

⎝

⎛

≥

⎟

⎠

⎞

⎜

⎝

⎛

=

)

(

2

)

(

'

)

(

2

)

(

'

,

2

1

,

2

1

th n

GS

DS

DS

DS

th n

GS

n

th n

GS

DS

th n

GS

n

D

V

V

V

V

V

V

V

L

W

k

V

V

V

V

V

L

W

k

I

(a)

(b)

圖二

座號：

全一張

102 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ： 22330 （背面）

等 別： 二級考試

類 科： 電子工程

科 目： 高等電子電路學（包括類比與數位）

• 三、圖三中之運算放大器皆為理想放大器，飽和輸出電壓為 ± 10 V 。

•  圖三 (a) 為 Schmitt 觸發器，求臨界電壓，並畫出轉換曲線。（ 10 分）

•  圖三 (b) 為三角波振盪器（ triangular-wave generator ），其中左邊運算放大器電路 為比較器。試繪出 Vout 波形，並求出此振盪器之振盪頻率。（ 10 分）

圖三

Vout

Vin

(a)

(b)

R

1

Vout

0.022

μ

F

22 k

Ω

18 k

Ω

R

3

C

R

2

56 k

Ω

R

2

20 k

Ω

R

1

10 k

Ω

四、圖四中之運算放大器為理想放大器。

•  推導此電路之轉移函數（ Vout / Vin ），此電路為何種濾波器？（ 8 分）

•  求直流增益及 3 dB 頻率。（ 4 分）

•  求 R 1 、 R 2 及 C 的值，使此電路輸入電阻為 1 k Ω ，直流增益為 40 dB ，且 3 dB 頻 率為 4 kHz 。單位增益（ unit gain ）頻率為何？（ 8 分）

圖四

R

1

Vout

R

2

C

Vin

• 五、考慮圖五的差動放大器。電路中 VT=25mV ， VBE(active) =0.7 V 。此差動放大器的直流 基極電壓為 0 V 。

•  假設 Q 1 及 Q 2 之 α 值為 α 1= α 2 =0.98 ，求電壓增益 Vout / Vin 。（ 10 分）

•  假設 α 1 =0.980 ， α 2=0.975 ，求其輸出之直流差動電壓 V OUT 。（ 10 分）

Ω

Vout

2.2 k

Ω

R

E

3.3 k

Ω

R

C1

+15 V

3.3 k

R

C2

15 V

Vin

Q

1

Q

2

圖五

等 別： 二級考試

類 科： 電子工程

科 目： 電路分析

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、圖一為振盪器之線性模型，其中 RLC 為共振元件之線性等效電路， a R 為主動元件 之線性等效電阻。

•  當 Ω = 100 R 、 pF C 1 = 、 nH L 1 = 、 = - Ω 5 a R ，證明此為一不穩定電路。（ 12 分）

•  若共振元件值不變，求主動元件 a R 之範圍，將造成此電路無法振盪，亦即為一穩 定電路。 (8 分 )

a

R

L

R

C

v

圖一

• 二、圖二 (a) 為一雙埠電路，埠一及埠二之電壓 ( 1 V 、 2 V ) 、電流 ( 1 I 、 2 I ) 均為相量（ phasor ）， 虛線方框內為主動元件之線性等效電路。

•  推導此雙埠電路之 Z參數。（ 6 分）

•  圖二 (b) 為使用此雙埠電路構成之放大電路，其中 V ft t v s ) 30 10cos(2 ) ( ° + = π 、 MHz f 1 = 、 Ω = 10 s R 、 Ω = 10 1 R 、 Ω = 100 2 R 、 Ω = 10 3 R 、 Ω = 1000 L R 、 A/V g m 10 = ，使用所推導之雙埠 Z參數，計算此放大電路之電壓增益值 |) / (| 1 2 V V ， 並以 dB 表示。（ 10 分）

 說明電阻 3 R 之作用。（ 4 分）

(a) (b)

R

V

1

R

m

R

g V

1

V

2

V

1

I

2

I

2

R

3

R

代號

：

22340

（正面）

座號：

1

R

1

(

)

v

t

2

( )

v

t

1

(

)

i

t

2

(

)

i

t

2

R

3

R

L

R

(

)

S

v

t

S

R

圖二

vR

(

t

)

vR

(

t

)

gm

102 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ： 22340 （背面）

等 別： 二級考試

類 科： 電子工程

科 目： 電路分析

• 三、圖三為一線性耦合電路，計算 ) ( t i in 、 ) ( 1 t i 、 ) ( t v in 、 ) ( 1 t v 、 ) ( 2 t v 、 ) ( t v o ，其中 t V t v s 20cos1000 ) ( = 、 = Ω 5 s R ，理想變壓器線圈比 2 1 = N 、 10 2 = N ， Ω + = 30 10 j Z 、 Ω -= 600 200 j Z L 。（ 20 分）

(

)

S

v

t

1

(

)

i

t

Z

L

Z

S

R

1

1:

N

(

)

o

v

t

2

1:

N

1

(

)

v

t

2

(

)

v

t

(

)

in

i

t

( )

in

v

t

圖三

• 四、圖 四 為 一 非 線 性 放 大 電 路 ， 放 大 器 A 之 輸 入 及 輸 出 電 壓 特 性 為 ) ( 20 ) ( 2 ) ( 4 ) ( 2 3 t v t v t v t v i i i o + -= -，其中 Ω = = = = 50 o i L S R R R R 。

•  當信號源 f t V t v s 1 2cos2 ) ( π = ， MHz f 100 1 = ，計算輸出至負載分別在頻率 MHz 100 及 MHz 200 之平均功率值，單位以 dBW 表示。（ 10 分）

•  當信號源 f t V f t t v s ) cos2 2(cos2 ) ( 2 1 π π + = ， MHz f 100 1 = 、 MHz f 101 2 = ，計算輸 出至負載分別在頻率 99 MHz 、 100 MHz 、 101 MHz 、 102 MHz 之平均功率值，單位 以 dBW 表示。（ 10 分）

(

)

S

v

t

L

R

o

R

i

R

S

R

A

(

)

i

v

t

(

)

o

v

t

圖四

五、圖五 (a) 之 ) 1/(1 ) ( c w j jw H + = 為一低通濾波器，其中截止頻率 π 500 = c w ，輸入信號 ) ( t x 為一週期性脈波信號如圖五 (b) 所示，其中 ms T 2 = 、 ms D 1 = 、 π 2 = A ，將輸入 信號 ) ( t x 以傅氏級數表示，並寫出經低通濾波器輸出信號 ) ( t y 之弦波近似式，包含 至第三諧波項。（ 20 分）

w

(a) (b)

(

)

x t

(

)

y t

(

)

H jw

(

)

x t

0

T

2

D

2

D

T

A

t

等 別： 二級考試

類 科： 電子工程

科 目： 積體電路技術

考試時間：

2 小時

※注意：  禁止使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、依據下列的因素：訊號的處理、製程的需求、佈局的考量、設計的方法等，列表說明 數位積體電路與類比積體電路設計的不同。（ 20 分）

• 二、以半導體製造廠之污染控制考量：

•  解釋靜電放電（ ESD ）。（ 5 分）

•  列表與說明三種 ESD 的控制方法。（ 15 分）

• 三、在一 P 型矽基板上，如以一 2P2M N-well （ N井） CMOS 製程為例，完成以下元件 之相關問題：

•  如擬完成一 N井層電阻，試繪出此電阻的剖面圖。（ 5 分）

•  如擬完成上述電阻之製作，考量到金屬層（ M1 ）的連線，至少需要幾道光罩 （ mask ）？請按合理的製程先後次序，依序寫下這些光罩層的名稱與其使用目的。 （ 15 分）

• 四、在 MOS 積體電路製程中，以 P 型矽基板製作 NMOS 電晶體為例：

•  試繪出此電晶體具有 LDD 結構的剖面圖，並說明使用此結構的理由。（ 10 分）

•  為了完成此 LDD 結構的製作，請說明其製作流程的重點。（ 10 分）

• 五、在低功率的電路應用， MOS 元件會工作在弱反轉區（ Weak inversion ）或次臨界區 （ Sub-threshold region ），說明 MOS 元件在次臨界區工作的特點。（ 20 分）

座號：

年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ： 22360

等 別： 二級考試

類 科： 電子工程

科 目： 電子元件

考試時間：

2 小時

※注意：  禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、  通常我們定義半導體中的電子質量為有效電子質量（ Effective Electron Mass, m * e ）， 請說明為什麼半導體中的電子質量不同於一般在真空中的電子質量（ m0 ）。（ 10 分）

•  請寫出愛因斯坦關係式（ Einstein Relationship ），並說明其物理意義。（ 10 分）

• 二、  對於一工作於逆向偏壓的蕭特基二極體（ Schottky Diode ），若蕭特基二極體的半 導體為 n 型，請問負電極是接在金屬邊或 n 型半導體邊？若蕭特基二極體的半導 體為 p 型，請問負電極是接在金屬邊或 p 型半導體邊？並說明原因。（ 10 分）

•  對於 p 與 n 濃度皆為低度摻雜（ Lightly Doped ）的 p-n 二極體，當 p-n 二極體工 作在很大的逆向偏壓會產生崩潰（ Breakdown ）現象，此時之電壓稱為崩潰電壓。 當它的工作溫度上升時，此 p-n 二極體的崩潰電壓會上升或減少？請說明原因。 （ 10 分）

• 三、  現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體（ Bipolar Junction Transistor ， BJT ）的射極層與歐姆接觸層，以取代傳統的 n 型高摻雜單晶 矽與金屬歐姆接觸層，請說明原因。（ 10 分）

•  對於一雙極性接面電晶體（ Bipolar Junction Transistor ， BJT ），當它的工作溫度 上升時，請問電流增益（ β ）是增加或降低？請說明原因。（ 10 分）

• 四、  對於一金屬 -氧化層 -半導體的金氧半電容（ MOS Capacitor ）元件，若使用 p 型的 基板，請畫出基板電荷對閘極電壓（ Qsub versus VG ）的關係圖，並指出累積區、 空乏區與反轉區。（ 10 分）

•  請說明在金氧半場效電晶體（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， MOSFET ）中常觀察到的長通道效應與短通道效應，它的關鍵區隔是什麼？（ 10 分）

• 五、  通常成長二氧化矽（ SiO2 ）或矽的氧化層薄膜的方式有熱氧化法（ Thermal Oxidation ）中的乾氧化（ Dry Oxidation ）與濕氧化（ Wet Oxidation ），化學氣相 沉積（ Chemical Vapor Deposition ），與電漿加強式化學氣相沉積（ PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD ）。若要成長應用於金氧半電晶體 （ MOSFET ）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。 （ 10 分）

•  若以熱氧化法（ Thermal Oxidation ）在矽晶圓上成長二氧化矽（ SiO2 ）薄膜，已 知矽的原子量是 28 ，矽的密度是 2.33 ；氧的原子量是 16 ；二氧化矽的密度是 2.2 。 請問矽晶圓消耗的厚度占成長出二氧化矽薄膜的厚度的百分之幾？（ 10 分）

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