112年公務人員高等考試二級考試電子工程類科歷屆試題,含憲法與英文、國文(作文、公文與測驗)、高等電子電路學(包括類比與數位)等 6 科。
共 6 份考卷|資料來源:依政府資料開放授權條款(OGDL)第 1 版利用,資料集:考選部歷屆試題(data.gov.tw dataset 170565),112 年。
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下載:題目
官方不公布申論答案
等
別:高考二級
類
科:各類科
科
目:憲法與英文
考試時間:
2 小時
※注意:
禁止使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
一、我國憲法規定之總統職權迭經改變,試說明現行總統是否屬於憲法上之 行政機關?( 25 分)
二、甲法官任職臺中地方法院已有很長一段時間,由於近來案件激增,因年 齡漸長,甲頗感力不從心,希望能離職轉任律師工作。由於甲長期於臺 中地方法院工作,對臺中相當孰悉,也希望能將臺中作為執業重點。惟 律師法第 28 條規定,司法人員或公職律師自離職之日起 3 年內,不得 在其離職前 3 年內曾任職務之法院、檢察署、政府機關(構)或公立學 校執行律師職務。但其因停職、休職或調職等原因離開上開法院、檢察 署、政府機關(構)或公立學校已滿 3 年者,不在此限。甲認為律師 法第 28 條規定,違憲侵害其離開公職後之工作權,試評論甲之看法。 ( 25 分)
With a fierce hold on the bedrock tool of our time, 21st-century man wraps his life around a most modern convenience-the smartphone-and begins his day, thumbs flying. These portals in the palm of our hands are passports to a nearly friction-free online world, where long lines are banished, where Bach and the Beatles wait to be summoned from our pockets, and where global positioning satellites descend from the cloud with maps.
社群網路業者近日相中了一種潛力無窮的新的廣告行銷收益:他們鎖定 網友曾在網路上瀏覽過的商品再向他們打廣告。一般預測,這種稱之為 「再標定」的新近廣告行銷手段不但會越來越普遍,同時也會讓隱私遭 侵犯的疑慮增加。
座號:
Online classes, which have become more and more popular nowadays, are the fast-growing form of teaching and learning for the masses. One is able to get free courses on Coursera or through MOOCs (Massive Open Online Courses). Do you think online classes will change higher education? What are the pros and cons of online courses? Or what are the advantages and disadvantages of online classes? What is your personal assessment of online learning? Please write an English essay of approximately 300 words on the following topic: 'The Impact of Online Classes.' Please use specific reasons and examples to illustrate and support your arguments.
代號:
20120-22720
頁次:
4 - 1
等
別:高考二級
類
科:各類科
科
目:國文(作文、公文與測驗)
考試時間:
2 小時
※注意:禁止使用電子計算器。
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答,於本試題上作答者,不予計分。
不得於試卷上書寫姓名或座號。
分)
老子主張人在社會裡應當不爭,又提到「禍莫大於不知足,咎莫大於 欲得」,所以不貪求、當知足,可促使社會的和諧,也是人在世上應 該學習的功課;只是若人人都滿於現狀,不求取更大的利益,那麼就 可能斷絕了創新的想法與社會進步的動力了。請以「知足與創新」 為題撰文一篇,闡釋二者間的關係與意涵。
臺灣因汽機車改造、改裝而產生噪音擾民日益嚴重,不只影響道路 用路人安全,亦影響人民日常作息與生活品質,為遏止此不良風氣, 環境部環境管理署除重申已加重「違反噪音管制法案件裁罰基準」 以儆效尤,亦請各地方政府相關單位、各地監理處配合本署相關防 治作法之宣導,並儘量提供提升減少噪音成效之建言。試擬環境部 環境管理署致各縣市政府函,要求依法加強取締違法行為,以維護 人民權益。
本測驗試題為單一選擇題,請選出一個正確或最適當的答案。
共 10 題,每題 2 分,須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,於本試題或申論試卷上作答者,不予計分。
1 「人類會依賴群體指引行為,如網站各種評價,仿效各種『最棒的』購物、飲食及 旅遊習慣。這通常是個聰明的策略,數量有其意義。不過,這項策略也有缺點,族 群的常態行為往往會壓過個人想要的行為,服從群體規範的內在壓力極大,大多數 時間,我們寧願跟大家一起錯,也不要自己一個人對。」
下列語詞最符合上述文意的是:
辨志樂群
代號: 2201
座號:
根據上文,下列最適合用來描述川端康成小說的選項是:
一言千金
不著痕跡
敘寫精微
語境淡泊
3 「 『誤書,思之更是一適』 ,這種讀書態度,不是以發現錯字為滿足,而是要以這錯 字之特殊的啟發或暗示而得到原文所未曾有的經驗。當然,既成為他自以為是的經 驗,也就是最適意的了。不過此一過程,至少包括兩層事實:第一是誤書的發現, 第二才是因誤書而得到的別解。」
關於文中所述的讀書態度,最符合上文觀點的選項是:
讀書不必拘泥於字詞正確與否,貴在精準掌握文意
書中雖出現錯別字,讀者仍可從中獲致嶄新的啟迪
惟有校訂書中的錯別字,才能真正享受讀書的樂趣
錯別字的啟發性,常只是書籍作者自以為是的想法
4 「悲哀發生於緊張的瞬間。這時我們感到麻木。因為要同這生疏的闖入者獨自周旋, 因為我們正處在一個不容我們立足的過程中。可是一旦這不期而遇的新事物走進心 房,在心的最深處化為烏有,溶解在我們的血液中,悲哀也就過去了。我們再也經 驗不到當時的情形。但正如一所房子,走進一位新客,它改變了,我們不能說,是 誰來了。我們往後也許不察,可是在『未來』還沒有發生以前,它就以這樣的方式 潛入並使我們變化。所以悲哀時越沉靜、越明白,這新的事物也就越深、越清晰地 走進我們的生命。」
下列何者最符合上文主旨?
悲哀與緊張同步,導致情感麻木 若能接納悲哀,悲哀將滋養我們
悲哀的傷痛,時間久了便能自癒 我們既享受歡愉,也應承擔悲哀
5 「布拉姆斯第二號交響曲的成就,比同時代許多浪漫風格的作品,更為驚人。浪漫 主義本來就是新鮮東西,擺脫了古典主義許多節制,從形式開始,到和聲音量變化, 都可以進行種種誇張試驗,浪漫主義陣營的人當然有很大的空間可以揮灑玩耍。布 拉姆斯卻在別人認為已經過時,從海頓、莫札特開始,被探索了百年的舊元素上, 成功找出未被開發的可能性,又以極其成熟自然的方式表達出來。一經發表,第三 樂章馬上成為音樂會聽眾的最愛,經常被獨立出來,當做樂團安可加演曲,每次演 奏必定博得滿堂彩,絕無例外。第四樂章則讓人聽到莫札特顛峰時期的優雅俏皮, 但卻包裹在無法想像的複雜編制與聲部組合裡。」
根據上文,下列選項何者最合乎本文旨意?
滿眼生機轉化鈞,天工人巧日爭新 驪宮高處入青雲,仙樂風飄處處聞
此曲只應天上有,人間能得幾回聞 琴中古曲是幽蘭,為我殷勤更弄看
6 「為了凝聚共同體,它需要一種共同的語言,殖民遺產是最便利的選擇,它可以避 免民族間的衝突與憎恨,更可以讓這島國快速融入大英帝國殖民擴張造就的廣大英 語世界,那幾乎已是『現代世界』的同義詞了。這是務實的選擇。為了生存,代價 是犧牲掉詩意。母語、古廟、古墓、記憶、方言,都是詩意情感的核心。……李光 耀意志下的新加坡,可說是東南亞土生華人有史以來規模最大的一場政治實驗,功 過都有待更長時段的觀察,方能準確的評估。」
根據上文,下列選項何者最符合文意?
世界上的島國由於資源有限,其發展的最佳策略是跟進西方第一世界國家的文化 主體
新加坡採取全英語教學和生活,造就了該國順利跟國際接軌,在經濟及歷史上已 有明確的成就
新加坡的凝聚建立在實用/務實的英語選擇上,因此弱化了本土文化,壓抑了非 實用性的記憶與情感
「現代世界」指的是以英語為高等文明的世界,儘管學習需要多年的時間,但可 有效促進社會現代化的發展
7 「 《左傳》記載了楚莊王打贏了邲之一役,這是一次輝煌的勝利,潘黨建議築成『京 觀』來紀念戰功,所謂京觀就是把敵軍屍體堆積起來再蓋上泥土,這樣一座人體之 山當然堆愈高愈神氣,但是楚莊王不允許,他洋洋灑灑講述了武有七德,禁暴、戢 兵、保大、定功、安民、和眾和豐財,楚莊王一項一項逐條自我檢查,結論是這七 德『我無一焉』 ,一項都沒做到,那能誇耀武功,唯一可做的就是回去上告列祖列宗 『成事』而已;又說京觀之築是一種懲戒,堆積的是大罪伏誅的人,今天晉國士兵 盡職戰死,怎麼可以這樣對待他們?」
根據上文,對楚莊王的描述何者最適切?
建築軍壘,炫耀武德
長於謀略,勵精圖治
克制自省,心存哀矜 發兵侵略,為德不卒
8 「因為我們忘記作者之時正是我們相信小說世界是實際的、真實的世界之時,我們 相信作者的『鏡子』是一面自然完美的鏡子。事實上,當然沒有所謂完美的鏡子。 每個讀者一旦決定看一本小說,便會根據自己的嗜好選擇一面鏡子。」
下列選項較適合用來說明上文的是:
作者在寫作小說之際,必須先考量讀者的真實背景
完美的小說如同鏡子,可以清楚反映作者所見現實
讀者會因個別差異,選擇以不同角度解讀小說內容
讀者應該盡可能選擇理想鏡子,才能真正讀懂小說
主訴:頭痛、眩暈、腹內飢餓感。
最初診察患者時,以其頭較身大,理應富於思考力,但以二三常識問題 試加詢問,其回答卻不得要領,可想像患者……頭骨雖大,內容空虛,腦髓 並不充實;聞及稍微深入的哲學、數學、科學及世界大勢,便目暈頭痛。
此外,手足碩長發達,這是過度勞動所致。其次診視腹部,發現腹部纖 細凹陷,一如已產婦人,腹壁發皺,留有白線。這大概是大正五年歐陸大戰 以來,因一時僥倖,腹部頓形肥大,但自去夏吹起講和之風,腸部即染感冒, 又在嚴重的下痢摧殘下,使原本極為擴張的腹壁急遽縮小所引起的。
療法:原因療法,即根本治療法。
處方:正規學校教育 最大量、補習教育 最大量、幼稚園 最大量、圖書館 最大量、 讀報社 最大量
若能調和上述各劑,迅速服用,可於二十年內根治。尚有其他特效藥品,此處 從略。
大正十年十一月三十日 主治醫師蔣渭水」
文中所謂「腹部頓形肥大」 ,暗喻何種心理?
心虛畏縮
招搖撞騙
引為羞恥
10 承上題,下列選項何者最符合本文旨意?
臺灣人目暈頭痛的毛病,與當時傳染病流行有關
本篇是將臺灣作為虛擬人格進行診斷的寓言文學
蔣渭水期望透過教育與外交進行知識的啟蒙及傳播
當時日本政府的教育措施尚未對臺灣人產生不良的影響
膨脹浮誇
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22330
頁次: 3 - 1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:高等電子電路學(包括類比與數位)
考試時間:
2 小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。 本科目得以本國文字或英文作答。
一、圖一之 npn BJT 操作於 Active Mode (偏壓電路省略) ,其 β = 100 , r o = ∞ Ω , VT = 25 mV , VBE 之壓降為 0.7 V ,
試求值:
gm = ? mA/V ( 5 分)
r π = ? Ω ( 5 分)
Rin = ? Ω ( 10 分)
座號:

圖一
1 mA
10 kΩ
1 kΩ
二、如圖二,由二極體及電阻器所形成之電路,圖中之二極體導通後之電阻 值為 0 Ω ,試求:
假如二極體之導通電壓 VD,on = 0 V ,求 A 點電壓值為何?( 10 分)
假如二極體之導通電壓 VD,on = 0.7 V ,求 A 點電壓值為何?( 10 分)

-5 V
2 V
0 V
10 V
A
10 kΩ
5 kΩ
10 kΩ
5 kΩ
圖二
三、如圖三,由運算放大器及電阻所構成之放大電路中,其中之電阻值 R1 = R3 = 5 kΩ , R2 = R4 = 10 kΩ 。
若此理想運算放大器之差動增益為無限大,求 Vo/Vi = ? (V/V) ( 10 分)
若此運算放大器之差動增益為 100 ,求 Vo/Vi = ? (V/V) ( 10 分)

圖三
如圖四為單級之差動放大器,依上述元件參數,試回答下列問題,其中 等均可
Ibias = 1 mA 。同時在求各種計算時,除 ro 的分析,其他如 Vov 、 gm 不考慮 VA 的影響。又計算值可適當化簡, gmro + 1 ≅ gmro 即可 假如 M5 M6 之比例 k = 2 ,試求:
求 MOS M1/M2 之 gm1 = gm2 = ? mA/V ( 10 分)
求 Vo 點之 Ro = ? kΩ ( 10 分)

以 Static CMOS 邏輯電路設計, NMOS 與 PMOS 要有對偶關係 ( duality ) 。 ( 10 分)
以 Dynamic CMOS 電路設計,且令控制時脈 CK=0 時為 Precharge 狀 態,控制時脈 CK=1 時為 Evaluation 狀態。 ( 10 分)

下載:題目
官方不公布申論答案
頁次:
2
-
1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:電路分析
考試時間:
2 小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。 本科目得以本國文字或英文作答。
一、考慮如圖一之電阻組合電路中,試求理想電壓源的等效電阻( R ab )值。 ( 25 分)

圖一
二、考慮如圖二電路中,求 3 k 上之電流( I 0 )值。 ( 25 分)

圖二
三、考慮如圖三電路中,當輸入電源端為( 9 cos(500 t )V )時,試求戴維寧 ( Thévenin )等效電路圖及其輸出負載端之最大功率值。 ( 25 分)

圖三
座號:
四、考慮如圖四之電路中,當 t > 0 時,試求其電感電流( i ( t ) )值。 ( 25 分)

圖四
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22350
頁次:
1
-
1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:積體電路技術
考試時間:
2 小時
※注意:
禁止使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
本科目除專門名詞或數理公式外,應使用本國文字作答。
一、一般 CMOS 的 NAND 基本邏輯閘具有兩個輸入端 x 與 y ,以及一個輸 出端 f ,請使用 nMOS 與 pMOS 電晶體畫出此邏輯閘的電路圖,並說明 其工作原理。又請指出那些電晶體會有 body effect ,請說明原因。 ( 25 分)
二、在 CMOS 積體電路製程中常用的絕緣體有氮化矽( Si3N4 )與二氧化矽 ( SiO2 ) , 請解釋為何不使用純的氮化矽為閘極的絕緣層材料?並請解釋 使用二氧化矽為閘極絕緣層材料在新世代積體電路製程中所面臨的瓶 頸為何?( 25 分)
三、在目前的積體電路製程中,除了使用 p-well 與 n-well 的 twin-well 分別 置放 nMOS 與 pMOS 電晶體之外,也常用淺溝槽隔離( shallow trench isolation, STI )來隔離電晶體。請說明淺溝槽隔離的製造流程。 ( 25 分)
四、波長為 193 nm 的深紫外光光源一直使用到 7 nm 的製程,而後在 5 nm 以後的製程中才廣泛使用 13.5 nm 的極紫外光當作光源。請說明有那些 解析度增強技術的組合使用,讓 193 nm 的深紫外光光源能夠一直使用 到 7 nm 的製程中。 ( 25 分)
座號:
下載:題目
官方不公布申論答案
代號:
22360
頁次:
2
-
1
等
別:高考二級
類
科:電子工程
科
目:電子元件
考試時間:
2 小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
本科目得以本國文字或英文作答。
一、某矽晶體材料均勻摻雜濃度為 5 10 13 cm -3 硼 (B) 原子,已知常溫 ( 300 k ) 下矽的本質載子濃度為 ni = 1.5 10 10 cm -3 , q = 1.6 10 -19 C ,電子與電洞 的位移率( mobility )分別為 n = 1350 cm 2 /v s 及 p = 480 cm 2 /v s ,於熱平 衡時請求出:
電洞濃度 po = ?電子濃度 no = ?( 6 分)
該材料的電阻率( resistivity ) = ?( 7 分)
照光下均勻產生電子與電洞 n = p = 10 16 cm -3 ,於穩態下假設位移率 不變,該材料之導電率( conductivity ) = ?( 7 分)
二、矽 pn 二極體已知 p 區的摻雜 NA = 2 10 14 cm -3 , n 區的摻雜 ND = 6 10 14 cm -3 ,常溫下 1 kT/q = 0.0259 V , ni = 1.5 10 10 cm -3 , q = 1.6 10 -19 C ,電子與電洞的位移率 ( mobility ) 分別為 n = 1350 cm 2 /v s 及 p = 480 cm 2 /v s , D/ = kT/q ,假設 p 區電子與 n 區電洞的少數載子壽 命均為 n = p = 1 s ,忽略空乏區內額外的載子復合與產生機制,請求出: 於順偏壓 VF =0.1 V 下,在 p 區的空乏區寬度 Wp 相對在 n 區的空乏區 寬度 Wn 兩者之比例 Wp/Wn = ?( 5 分)
於順偏壓 VF =0.1 V 下,在 Wn 處的電洞濃度相對熱平衡時之比例為 pn ( x = Wn )/ pno = ?( 5 分)
於順偏壓 VF = 0.1 V 下,在 n 區相對熱平衡多出的電洞濃度分布於 x Wn 區之 pn (x) 表示式為何?( 6 分)
於順偏壓 VF =0.1 V 下,在 Wn 處的電洞電流密度 Jp ( x = Wn ) = ? ( 6 分) 於反偏壓 VR =8 V 下,元件之空乏區寬度 W = ?( 6 分)
於反偏壓 VR =8 V 下,在 p 區的電子擴散長度( diffusion length ) Ln 相 對在 n 區的電洞擴散長度 Lp 兩者之比例 Ln/Lp = ?( 6 分) 於反偏壓 VR =8 V 下,元件之電流密度 Js = ?( 6 分)
座號:
三、金屬 / 氧化層 / 半導體( MOS )結構元件,已知氧化層 SiO2 厚度為 100 nm ,其 SiO 2 = 3.9 o , p 型矽之 NA = 2 10 14 cm -3 ,其 Si = 11.9 o , o = 8.85 10 -14 F/cm , 常溫下 1 kT/q = 0.0259 V , q = 1.6 10 -19 C , ni = 1.5 10 10 cm -3 ,熱平衡時 電洞濃度 po = ni exp[( EFi -EF )/kT] ,其中 EFi 為本質費米能階, EF 為 p 型 矽之費米能階。假設氧化層與介面均為理想, MOS 之平能帶( flat-band ) 電壓為 VFB = -0.5 V ,於某閘極偏壓 VG 下,元件進入空乏區,矽表面剛好 呈現本質( intrinsic ) ,假設此偏壓下空乏區內之電子與電洞濃度均遠小 於 NA ,對 MOS 元件請求出: (每小題 5 分,共 20 分)
矽基板( substrate )之壓降φ s = ?
矽基板( substrate )空乏區總電荷量 QD = ?
氧化層壓降 VOX = ?
偏壓 VG = ?
四、對於 npn 雙極性接合面電晶體( BJT )操作於順向作用區,元件之射基 極間加上順偏,理論上流過空乏區之電子與電洞電流分別為 JnE 與 JpE , 另考慮順偏壓時之額外復合電流 JR 。元件之基集極間加上反偏,理論上 流過空乏區之電子與電洞電流分別為 JnC 與 Jpc0 ,另考慮反偏壓時之額外 產生電流 JG ,請以上述相關電流符號列式表示 BJT 元件與下列參數之 關係:
直流共基極電流增益( dc common-base current gain ) 0 = ?( 6 分)
小信號共基極電流增益( small signal common-base current gain ) = ? ( 7 分)
基極電流 JB = ?( 7 分)