20120

全一張

23820

105 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號：

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：國文（作文、公文與測驗）

考試時間 ：

2 小時

※注意： 禁止使用電子計算器。

甲、作文與公文部分：

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答，於本試題上作答者，不予計分。

•  不得於試卷上書寫姓名或入場證號。

• 一、作文：（ 60 分）

立身處世，最重「敏於事」與「慎於言」 。 「敏於事」 ，指做事勤快敏捷； 「慎於 言」 ，則指說話謹慎小心。前者能促進事業發展，厚積國家資源；後者則能建立 良好人際關係，締造和諧社會。此二者，對公務員的成敗榮辱關係尤大。請以 「敏於事與慎於言」為題，撰文一篇。

二、公文：（ 20 分）

現今電腦網路與通訊行動載具普及，霸凌行為得以透過網路媒體傳遞，例如： 電子郵件、網路貼文、手機簡訊等方式，在校園中蔓延。這種透過現代網路科 技而進化的霸凌行為，即稱為「網路霸凌（ Cyber-bullying ） 」 ，又稱「電子霸凌」 、 「簡訊霸凌」 、 「數位霸凌」 、 「線上霸凌」或「網路暴力」 。有別於傳統霸凌恃強 凌弱、以大欺小的面對面威嚇，霸凌者以匿名方式寄送，免除面對面的對峙壓 力，讓霸凌者更快速、更輕易地傷害他人。這種欺壓行為，常為校園莘莘學子 身心帶來極大傷害，其嚴重性有時更勝於傳統校園霸凌。對霸凌者而言，若不 加以防範、矯治其行為與態度，最後極有可能惡化成觸法行為。

請參考以上資料，試擬教育部致各直轄市、縣市政府教育局﹙處﹚函：請轉知 所屬，加強「防杜網路霸凌」教育，營造健康友善的校園學習環境，讓學生安 心就學。

乙、測驗部分：（ 20 分）

代號： 2201

•  本測驗試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。

•  共 10 題，每題 2 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題或申論試卷上作答者，不予計分。

•  下列成語，可用來形容識見超拔不可磨滅的言論者是：

 一家之論

 耳食之談

•  下列各組對聯，行業別前後不同的選項是：

•  圯橋曾進高人履，灜海爭誇學士鞋／是留侯橋邊拾起，看王令天上飛來

•  囊中都是延年藥，架上無非不老丹／參芎同功回造化，葫蘆品貴辨君臣

•  色香古茂留真跡，翰墨因緣壯大觀／收拾破殘妙傳手法，表章古今功在儒林

•  大塊文章百城富有，名山事業千古長留／滄海月明藍田日暖，懷珠川媚韞玉山輝

•  「薄酒萊是一個在巴黎南方約四小時車程的小鎮。它也種葡萄，雖然產地氣候不錯，但是土質普通， 種出來的葡萄不及知名產區。一般葡萄酒總強調出產年份，愈陳愈香，價格也愈高。薄酒萊偏偏強 調新鮮，宣稱自己這個酒要新鮮才迷人。為了凸顯這個主張，薄酒萊在每年十一月第三個星期四都 會邀請各地士紳名媛與會，當第一瓶薄酒萊酒被打開，這些人共同舉杯試飲，彷彿只有這搶鮮的新 酒，能襯托他們的身分地位。然後，所有新鮮的薄酒萊酒會連夜的送往世界各地。利用時尚的行銷 手法，薄酒萊努力向世界傳輸一種新觀念－好的葡萄酒不一定要陳年，薄酒萊新酒那少女般的清 新，另有滋味。」根據上文判斷，薄酒萊使用的行銷方法為：

 反其道而行

 化危機為轉機

•  順應社會潮流

（請接背面）

•  以時尚名媛代言

 不經之談

|

（正面）

座號：

1

2

3

•  不刊之論

全一張

23820

（背面）

105 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號：

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：國文（作文、公文與測驗）

•  主動求知並不代表完全不用依賴他人給的資訊。知識的取得是社會的、集體的活動，同時也是個人 的活動。罔顧他人提出的論據就妄下結論，絕對稱不上是一種美德。但是，個人的時間有限，也不 可能上窮碧落下黃泉，找到每樣東西的源頭，我們勢必得求助於書籍、紀錄、文章、演說或多媒體 平台，從中找出重要的資訊和論點再加以整合和評估。我們要避免的是不加思索地接收資訊，或消 極地接受某些標準。這類粗糙的道德準則很容易在我們未能停下來檢視事實時，就讓我們誤以為自 己做了正確的選擇。下列那個選項並非此段文字的意思？

•  學而不思則罔，公民必須對價值觀說出道理，「正義」不能只是「大家說對就是對」

•  道德準則不涉及選擇，故不宜參酌群議；必須心中有定見，勇於獨斷，乃得以成其為標準



主動求知指勇於面對自己知識的不足，以及體悟到「我們堅信不移的事實或許根本不是事實」

•  得之於耳應之於口的知識，若因之而不求知見覓解會，這般雜毒纔入心，如油入麵，宛然 相容，真知卻被這些雜毒障卻

•  下列選項中各組題辭，何者不適用於婚嫁？

 花開並蒂／鸞鳳和鳴／秦晉之好

 燕燕于飛／之子于歸／宜室宜家

 舉案齊眉／珠聯璧合／琴瑟和諧

 熊夢吉兆／桃夭之喜／德門生輝

•  下列詩句所描述的節慶時令，配對錯誤的選項是：

•  櫻桃桑椹與菖蒲，更買雄黃酒一壺。門外高懸黃紙帖，卻疑賬主怕靈符。──端午

•  今日雲駢渡鵲橋，應非脈脈與迢迢。家人竟喜開粧鏡，月下穿針拜九宵。──七夕

•  旅館寒燈獨不眠，客心何事轉悽然。故鄉今夜思千里，霜鬢明朝又一年。──除夕

•  莫將邊地比京都，八月嚴霜草已枯。今日登高樽酒裏，不知能有菊花無？──中秋

•  天津弋人得一鴻，其雄者隨至其家，哀鳴翱翔，抵暮始去。次日，弋人早出，則鴻已至，飛號從之， 既而集其足下。弋人將並捉之，見其伸頸俛仰，吐出黃金半鋌。弋人悟其意，乃曰：「是將以贖婦 也。」遂釋雌。兩鴻徘徊，若有悲喜，遂雙飛而去。弋人稱金，得二兩六錢強。噫！禽鳥何知，而 鍾情若此！悲莫悲於生別離，物亦然耶？（《聊齋誌異．鴻》）依本文下列選項何者錯誤？

 射鳥之人一開始捕獲的是一雌鳥

 抵暮始去指的是傍晚抵達又離開

•  禽鳥所知或許有限，感情卻十分專注

 生命中最悲傷的是無法再見面的離別

•  王壽南在《英雄之忍》中，提出三個「忍」的原則：「一是顧及群體利益，應該忍；二是為了更大 的利益或理想，應該忍；三是避免意氣或無聊的爭執，應該忍。」下列那一位歷史人物的忍耐不是 針對「為了更大的利益或理想」而發？

 韓信忍受胯下之辱

 蘇秦不理會家人輕視

 司馬遷受腐刑，忍恥著述

 柳永忍把浮名，換了淺斟低唱

•  「方山子，光、黃間隱人也。少時，慕朱家、郭解為人，閭里之俠皆宗之。稍壯，折節讀書，欲以 此馳騁當世，然終不遇。晚乃遯於光、黃間，曰岐亭。庵居蔬食，不與世相聞；棄車馬，毀冠服， 徒步往來，山中人莫識也。見其所著帽，方聳而高。曰：『此豈古方山冠之遺像乎？』因謂之方山 子。余謫居於黃，過岐亭，適見焉。曰：『嗚呼，此吾故人陳慥季常也，何為而在此？』方山子亦 矍然，問余所以至此者。余告之故。俯而不答，仰而笑，呼余宿其家。環堵蕭然，而妻子奴婢，皆 有自得之意。余既聳然異之。」（蘇軾〈方山子傳〉）

蘇軾在文中提到老朋友方山子曾經「折節讀書，欲以此馳騁當世，然終不遇」，面對「不遇」的狀 況，方山子做了何種選擇？

 自暴自棄，離群索居

 標新立異，以求揚名

 孤介疏狂，隱居自適

 人在江湖，心懷魏闕

•  根據上文，方山子與蘇軾相見，為何方山子的態度是從「亦矍然」到「俯而不答，仰而笑」？下列 選項正確的是：

•  透過表情的變化，表現出久別故人的驚訝與戲謔之情

•  從驚訝到感慨，用反諷手法流露同是天涯淪落人的現況

•  瞬間回首人世的艱險，步履的曲折，藉由俯仰之間的苦笑，表達個人壯志未酬的憤恨

•  滿腔的激情，藉由會心一笑轉化為理解生命歷程的困蹇遭遇，有曠達獨到的人生領悟

4

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7

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9

10

|

105 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號：

20110

|

23810

座號：

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：憲法與英文

考試時間 ：

2 小時

※注意：  禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、假設有人民 A 受刑事法院判決有罪並宣告有期徒刑 2 年確定（下稱原因案件）後， 向司法院大法官聲請解釋上述判決所適用之法律規定（下稱系爭規定）違憲。司法 院大法官於 2015 年 7 月 1 日宣告系爭規定違憲，並諭知自解釋公布之日起至遲於二 年屆滿時，失其效力。請依憲法規定及相關大法官解釋回答以下問題：

•  就 A 已確定之原因案件有何救濟？（ 10 分）

•  主管機關於 2015 年 8 月 1 日查獲 B 有違反系爭規定的行為，於是移送該管地檢署， 偵辦後發現 B 確有違法行為且證據明確，請問檢察官應如何處置？（ 10 分）

• 二、假設有立法委員多人鑑於銀行一再發生重大弊案，於是在財政委員會提案，經委員 會決議： 1 成立銀行重大弊案調閱專案小組。 2 要求涉及某弊案的 A 銀行（純民股銀 行）提供特定文件原本或影本。 3 要求 B 地檢署提供 A 銀行涉嫌 X 弊案，目前進行 中偵查之相關卷證影本，以及之前對 A 銀行偵查但不起訴確定的 Y 案卷證原本。 4 要求金融監督管理委員會（金管會）提供過去對 A 銀行的金融檢查記錄等相關文件 原本。

•  請依憲法規定及相關大法官解釋，扼要說明立法院行使調閱權的依據、要件及限 制。 （ 15 分）

•  A 銀行、 B 地檢署及金管會是否有依上述決議提供相關文件的義務？（ 15 分）

三、英譯中：

Trans fats have been around for a while. At the turn of the 20 th century, hydrogenated oils, which contain trans fats, were invented. They were a new, inexpensive product that could replace lard and other natural animal fats in cakes and cookies. They also have a longer shelf life than other fats and retain flavor well. People started to use them in preparing everything from potato chips, to croissants, to fried chicken. （ 10 分）

※提示

trans fats

：反式脂肪

四、中譯英：

你花好幾小時用手機和朋友閒聊嗎？這不僅耗電，也很傷荷包。降低手機費的一個 簡單方法就是少打不必要的電話。然後算出你一個月需要的通話分鐘，選擇適合的 費率方案。 （ 10 分）

五、英文作文： （ 30

分）

Write an English essay of about 250 words to address the following:

Which do you prefer, a small family or a large one? Why?

（請接背面）

全一頁

全一張

105 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22630 （正面）

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：高等電子電路學（包括類比與數位）

考試時間 ：

2 小時

※注意：  可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、如以下二極體電路，其中二極體為理想（內阻為 0 Ω ， VD,on = 0 V ） ，電容電壓 Vc 初 始值為 0 V ，而輸入弦波訊號 ) ω t 3sin( Vin = （ V ） 。試分析當電路達穩態（ steady state ） 時，輸出電壓之值。 （每小題 10 分，共 20 分）

•  圖一（ a ）輸出電壓 Vout 之最小與最大值各為多少（ V ）？

•  圖一（ b ）輸出電壓 Vout 之最小與最大值各為多少（ V ）？

（

a

）

（

b

）

圖一

Vin

Vin

Vout

Vout

D1

D2

C1

C2

• 二、電晶體放大器如圖二所示。電晶體之 gm = 1 mA/V ，忽略通道長度調變 （ channel length modulation ）效應及寄生電容。電路中，電阻 R1 值為 10 k Ω ，電容 C1 值為 16 pF 。 （每小題 5 分，共 20 分）

•  圖二（ a ）放大器在低頻時之電壓增益 Vout / V in 為多少（ V/V ）？（正負號必須正 確才得分）

•  圖二（ a ）放大器之頻寬為多少（ Hz ）？

•  若電路要操作在頻率 100 MHz ，將 R1 置換為電感 L1 ，如圖二（ b ） 。此電感為非理 想，其品質因子（ quality factor ）為 50 。試問電感值為多少（ H ）？

•  圖二（ b ）放大器之電壓增益在 100 MHz 為多少（ V/V ）？（正負號必須正確才得分）

（

a

）

（

b

）

Vin

Vin

Vout

Vout

C1

C1

M1

M1

R1

L1

VDD

VDD

座號：

全一張

105 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22630 （背面）

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：高等電子電路學（包括類比與數位）

三、振盪器電路如圖三所示， Vcc 與 VB 提供適當電壓。元件參數為 C1 = 3 nF ， C2 = 6 nF ， L1 = 100 nH 而具有品質因子為 50 。電晶體之 VA = ∞ ， β = 100 。熱電壓 VT = 25 mV 。  計算震盪頻率為多少（ Hz ）？（ 5 分）

•  電路能起始震盪，電流源 IB 至少需要多少（ mA ）？（ 15 分）

C2

C

1

C

2

L

1

I

B

V

CC

V

B

圖三

VCC

VB

IB

L1

C1

四、放大器電路如圖四，其中差動放大器 A = 1000 V/V ，輸入電阻為 ∞ ，輸出電阻 r o = 1 k Ω 。 電路元件 Rf = 5 k Ω ， RL = 5 k Ω ，及 RS = 1 k Ω 。試計算  迴授因數 β ，  電壓增益 Av = Vo/Vs ，  輸入電阻 Rin ，  輸出電阻 Rout 。 （每小題 5 分，共 20 分）

圖四

C1=

∞

C2=

∞

VO

VS

RS

Rf

RL

Rin

Rout

A

• 五、使用 CMOS 邏輯電路設計， NMOS 與 PMOS 電路有對偶關係（ duality ） 。已知 PMOS 部分的電路如圖五，請畫出 NMOS 部分的電路（要標出輸入訊號的相關正確位置） ， 並找出此電路的函數關係。 （ 20 分）

VDD

A

C

B

D

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電路分析

考試時間 ：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

•  RL 產生最大功率時之輸出電壓及負載電阻值。 （ 10 分）

•  一次側的輸入功率。 （ 8 分）

•  一次側的功率有多少百分比傳輸至 RL 。 （ 7 分）

圖

1

二、如圖 2 所示電路，若 A i 1 (0) 2 = ， A i 0 (0) 2 = ′ ， V e t v t 3 10 ) ( -= ，試求電流響應 ) ( 2 t i 。 （ 25 分）

圖

2

三、如圖 3 所示電路，試求 t > 0 時之輸出電壓 υ o ( t ) 。 （ 25 分）

圖

3

H

1

F

1

V

10

V

10

四、如圖 4 所示電路， V t t t v ) 30 10sin(5 100sin ( ) ° + + = ω ω ， f = 50 Hz ， C = 10 3 μ F ， L = 0.1 H ， 試求電流 i L 、 i C 、 i 之有效值（均方根值） 。 （ 25 分）

圖

4

L

C

（請接背面）

代號： 22640 全一頁

座號：

105 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22650

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：積體電路技術

考試時間 ：

2 小時

• ※注意：  禁止使用電子計算器。



不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、在一 CMOS 晶片中，其動態功率消耗 P 與晶片的供電電壓 V 、元件的電容 C 、操作 頻率 f 以及元件的數目 n 有關。隨著操作頻率的上升，將使晶片的功率損耗大幅提升。 在高密度的系統晶片（ SoC ）中，當功率損耗超過一定限制後將導致晶片溫度升高， 進而影響晶片操作性能與可靠性。動態的調整電壓與頻率（ Dynamic Voltage and Frequency Scaling ， DVFS ）技術是目前常用的低功率 SoC 晶片設計技術。

•  試述何謂 DVFS 技術？（ 5 分）

•  試說明為什麼 SoC 晶片中常需要使用多種厚度的氧化層？（ 5 分）

•  試舉一實例說明如何利用 DVFS 技術可有效的降低晶片的功率損耗？（ 15 分）

• 二、積體電路電阻、電容及電感是製作 IC 的關鍵被動組件。

•  已知一導線的片電阻為 1 k Ω / □ ，試算出在一 2.5 × 2.5 mm 2 晶片上，以 2 μ m 的線寬、 4 μ m 的間距（即在平行線中心的距離）之該導線所能製造的最大電阻。 （ 15 分）

•  一個面積為 4 μ m 2 的金氧半（ metal-oxide-semiconductor ， MOS ）電容中，具有介電 層厚度為 10 μ m 的 SiO2 ，試算該 MOS 電容中所儲存的電荷和電子數目是多少？假 設其外加電壓為 5 V 。已知 SiO2 的介電常數（ Dielectric Constant ）為 3.9 。 （ 10 分）

• 三、金氧半場效電晶體（ MOSFET ）為超大型積體電路（ VLSI ）中最主要的元件。對於 MOSFET 技術，試回答下述的問題： （每小題 5 分，共 25 分）

•  為何在 NMOS 製程中，會偏好使用 <100> 晶向的晶圓？

•  若用於 NMOS 元件的場氧化層太薄的話，將會有何缺點？

•  複晶矽閘極用於閘極長度小於 3 μ m 時，會有何問題產生？

•  如何得到自我對準的閘極？其優點為何？

•  P 型玻璃（ P-glass ）的用途為何？

全一張

（正面）

座號：

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：積體電路技術

• 四、對於半導體製程技術，試回答下述的問題：

•  平面技術目前已廣泛運用在積體電路製作中，其步驟包括：金屬鍍膜、光學微影、 蝕刻、氧化以及離子植入等。對於上述之五個基本製程技術，試敘述一製作 p -n 接面（ junction ）的正確順序。 （ 5 分）

•  已知矽分子量是 28.9 g/mole ，密度為 2.33 g/cm 3 ；二氧化矽（ SiO2 ）的分子量 是 60.08 g/mole ，密度為 2.21 g/cm 3 。試說明為何一經熱氧化方式成長厚度為 x 的 二氧化矽層，需消耗厚度為 0.44 x 的矽。 （ 10 分）

•  微影是將光罩上的幾何形狀圖案轉換於覆蓋在半導體晶圓上之光阻（ Photoresist ） 的一個步驟。但是，當灰塵粒子黏附於光罩表面時，將造成元件的缺陷而使電路 發生故障。下圖顯示一光罩上的三個灰塵粒子，試描述圖中三個灰塵粒子對光罩 圖案不同方式的妨礙將造成何種影響？為什麼？（ 10 分）

光罩上的圖案

灰塵粒子

1

3

2

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電子元件

考試時間 ：

2 小時

• ※注意： 

禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、霍爾量測（ Hall measurement ）是一種常用於決定半導體中載子（ carrier ）的種類與濃 度的方法，請畫圖說明霍爾量測的原理，並說明霍爾量測如何決定半導體中載子的 種類與濃度。 （ 20 分）

• 二、  物理氣相沉積（ physical vapor deposition; PVD ）與化學氣相沉積（ chemical vapor deposition; CVD ）均是在半導體製程中常用於薄膜沉積的方法，就一般而言，請說 明這兩種沉積方法的不同，並指出其各有何優點。 （ 10 分）

•  在積體電路製程中，請說明什麼是擴散阻障層（ diffusion barrier ） ，並舉例說明有 那些材料可作為擴散阻障層。 （ 10 分）

• 三、  請畫出 npn 雙極性接面型電晶體（ bipolar junction transistor; BJT ）操作在順向動作 區（ forward active region ）時之能帶圖（ energy band diagram ） 。 （ 10 分）

•  請畫出此電晶體在此操作區之少數載子分布圖。 （ 10 分）

• 四、  請說明何謂閘流體（ Thyistor ）？並請畫出其基本結構。 （ 10 分）

•  請畫出一個典型的閘流體的電流 -電壓（ I-V ）特性曲線圖，並說明此閘流體的操 作原理。 （ 10 分）

• 五、  若是在 p 型基板上製作一個金屬 -氧化層 -半導體的金氧半電容（ MOS Capacitor ） 元件，請畫出此基板金氧半電容之高頻 MOS 電容 -電壓曲線，並對此曲線的每一 部分進行說明。 （ 10 分）

•  如果上述電容 -電壓曲線是使用較低的頻率去進行量測，則所獲致之電容 -電壓曲線 會有何改變？（ 10 分）

（請接背面）

22660 全一頁

座號：