代號：

20110-22810

頁次：

1 － 1

114 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：憲法與英文

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

• 

• 

不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

• 一、憲法第 18 條規定人民有應考試服公職之權，司法院大法官解釋及憲法 法庭判決對服公職權保障有何具體內涵之闡釋？請以憲法基本權利之 防禦權功能面向與客觀法功能面向之區別論述之。 （ 30 分）

二、英譯中： （ 20 分）

In 2024, the U.S. was the world's dominant travel and tourism market, according to a 2024 Economic Impact Trends Report by the World Travel & Tourism Council (WTTC). In 2023, a record-breaking $2.36 trillion was added to the U.S. economy from tourism. Then Tourism Economics predicted a 9% increase in international arrivals in 2025 compared to 2024. However, political tensions and negative perceptions of the U.S. have been keeping international tourists away, steering many travelers to visit Canada instead. As a result, Tourism Economics experienced a complete 180; it revised its predictions to a 9.4% decline in international visits to the U.S., and more drop again in early August.

三、中譯英： （ 20 分）

近來有研究結果顯示，當學生接受雙語教育時，他們的英文閱讀理解能 力呈現了顯著的進步，這樣突出的表現尤其顯示在閱讀推理、文本分析 兩個方面。然而，這樣的進步並不是全面的，仍有學生因基礎能力不足 或無法適應雙語教育，造成進步幅度有限的學習結果，亦可以說，雙語 教育的成效因學生而異。但在學生的語言學習動機、課程參與程度上， 雙語教育都顯示了正面的影響效果。

四、英文作文： （ 30 分）

In many countries, Taiwan included, the gap between the rich and the poor has widened. In sociology, a term called 'M-shaped society' was coined to illustrate the gap of wealth distribution between two major groups: the rich and the poor. Yet, such a gap can bring potential threat to the development of a society. Thus, some believe 'taxation' may be a good way to address the income gap. Please write a 250-word essay to present your analysis on such an idea.

座號：

代號：

20120-22820

頁次：

1

－

1

等

別：高考二級

類

科：各類科

科

目：國文（作文）

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上由左至右橫式作答，於本試題上作答者，不予計分。  不得於試卷上書寫姓名或座號。

一、作文一： （ 50 分）

領導能力是一種帶領團隊、組織或機關朝向目標前進的「影響力」 ， 而領導是一種引領他人通往目標的過程。領導能力對於管理者來說是非 常重要的能力，領導能力的好壞會直接影響團隊的成功與否。優秀的領 導者具有清晰的願景和明確的目標，能夠啟發和激勵團隊成員朝著共同 的目標努力；並將這個願景和目標，轉化為可行的行動計畫或方案，傳 播和分享至整個團隊、組織或機關之中。

請針對以上引言，試就個人經驗心得與觀點想法，依據以下命題， 作文一篇，申論己見。

領導者的特質與能力

二、作文二： （ 50

分）

子曰： 「君子居其室，出其言善，則千里之外應之，況其邇者乎？居 其室，出其言不善，則千里之外違之，況其邇者乎？言出乎身，加乎民； 行發乎邇，見乎遠。言行，君子之樞機；樞機之發，榮辱之主也。言行， 君子之所以動天地也，可不慎乎？」 （語譯--孔子說： 「君子住在家裡， 發出善美的言論，則千里之外的人也會聞風響應興起，何況是接近他的 人呢？如發出不善的言論，則千里之外的人也會違背他，而不以為是， 何況是接近他的人呢？言語是從本身發出，而能影響於百姓；行為是從 近處著手，而顯現於遠處。言行是君子的關鍵要樞，關鍵的發起，是光 榮或受辱的主宰。言行正是君子感動天地之原由，可以不謹慎嗎？」 ）

古今中外，凡居國家職位、掌握權力的人，一言一行，對國家社會 的影響非常深遠；尤其，現今自由、民主與法治的時代，更不可因言行 偏激失當，以致違反公序良俗，嚴重影響和諧有禮的社會風氣。

請針對以上引言，試就個人理解，根據以下命題，作文一篇，申論 己見。

言行的影響與效用

座號：

114 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22530 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：高等電子電路學（包括類比與數位）

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

 請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、設計以 1 Ω 電阻為輸出端接的 LC 梯形網路（如圖 1 ）具有以下歸一化 傳遞函數 H(s) ，求出 L1 ， C2 及 L3 之值。 （ 25 分）

3 2 1 H s 2 2s 1 ( ) s s    

圖

1

V1

C2

V2

L3

L1

1

Ω

• 二、對於圖 2 所示的電路， nMOSFET 的元件參數為：臨界電壓（ Threshold Voltage ） Vt = 1 V ， λ = 0 V -1 ， μ nCox = 50 µA / V 2 ， W/L=1.0 µm/1.0 µm 。 若電路的電壓增益 Vo / Vi = -2 ，求電流 I 。 （ 25 分）

圖

2

10 V

100 k

Ω

100 k

Ω

Vo

Vi

I

∞

∞

∞

座號：

• 三、  將 741.37510 和 377.6562510 轉換為十六進制，然後轉換為二進制。 （ 10 分）

•  將 1010101111001101.0112 轉換為八進制，然後轉換為十進制。 （ 5 分）

•  使用 2 的補碼表示負數，以二進位計算下列數字：  (-38)10 + (-40)10 ；  (-10)10 + 3510 。 （ 10 分）

四、計算圖 3 所示電路網路中 ab 端點阻抗 Zab 的數值。 （ 25 分）

圖

3

-j6

Ω

5

Ω

3

Ω

-j4

Ω

j8

Ω

-j5

Ω

a

b

114 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22540 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電路分析

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

一、如圖一所示電路，計算 ab 支路的電流 I 。 （ 25 分）

1 A

1 A

aʹ

a

1 Ω

1 Ω

1 Ω

1 Ω

1 Ω

1 Ω

1 Ω

1 Ω

b

bʹ

圖一

二、如圖二所示電路，包含增益為 -A 之單輸入反相理想放大器。因此，當此 單輸入反相理想放大器之輸入電流為零， v OUT = -Av MID 。

•  如果 A 為一固定之有限值下，試求出輸出信號 v OUT 與輸入信號 v IN 之 關係。 （ 15 分）

•  如果 A 趨近無限大時，試求出輸出信號 v OUT 與輸入信號 v IN 之關係。 （ 10 分）

圖二

R

1

1

R

2

v

IN

v

MID

v

OUT

A

座號：

• 三、如圖三所示電路，輸入訊號為 iS ( t ) = 8 t u ( t )A ，其中 u ( t ) 代表單位步階函 數（ Unit Step Function ） ，而 i ( 0 ) = 2 A 。計算 t > 0 時流經電感 L 的電流 i ( t ) 。 （ 25 分）

圖三

R

1

R

2

R

3

a

b

i

(

t

)

v

(

t

)

va

(

t

)

is

(

t

)

8

t u

(

t

)

4

Ω

8

Ω

4

Ω

L

2 H

四、請求出圖四所示電路之 Y 參數矩陣。 （ 25 分）

圖四

R

1

R

2

R

3

R

4

V

1

V

2

I

2

2

Ω

2

Ω

2

Ω

1

Ω

0.5

V

1

I

1

114 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22550 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：積體電路技術

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

•  本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、請就下列積體電路製造技術之相關問題，分別試述之：

• （每小題 5 分，共 25 分）

•  熱載子效應（ Hot Carrier Effect ）的成因與影響

•  天線效應（ Antenna Effect

• ）的成因與影響

•  何謂 CoWoS 技術與其優勢

•  何謂熱預算（ thermal budget ）與其對積體電路製程的影響

•  就選擇比（ selectivity ）與蝕刻輪廓（ etch profile ）兩面向，比較濕蝕刻 （ wet etching ）與乾蝕刻（ dry etching ）的優缺點

• 二、於 CMOS 積體電路製作過程，電晶體的閘極介電層中或多或少會存在移 動性離子電荷 Qm ，請詳述：

•  Qm 的來源（ 5 分）

•  Qm 對元件特性或積體電路可靠性的影響（ 5 分）

•  降低 Qm 的方法（ 5 分）

•  如何使用 BTS （ bias-temperature stress ）測試估算 Qm 的量（ 10 分）

• 三、某積體電路包含增強型 nMOSFET 與 pMOSFET 元件。其 nMOSFET 與 pMOSFET 的閘極分別為 n + poly-Si 與 p + poly-Si ，以及閘極氧化層為使 用乾氧化製程形成的 SiO2 。底下就各子題，請說明與解釋 nMOSFET 與 pMOSFET 元件之臨界電壓（ threshold voltage ）的變化是往正方向變動、 往負方向變動或不變？（每小題 5 分，共 25 分）

•  在其他製程條件不變下，僅增加氧化時間，使氧化層厚度增加

•  在其他製程條件不變下，僅增加 nMOSFET 之 VT-adjust （臨界電壓調 整）之 p 型離子佈植的濃度

•  在其他製程條件不變下，將 nMOSFET 的閘極由 n + poly-Si 換成 p + poly-Si ， 以及將 pMOSFET 的閘極由 p + poly-Si 換成 n + poly-Si

•  在製造過程中發生硼穿透（ boron penetration ）至氧化層中

•  由於清洗製程不完全，導致氧化層產生多餘的不明負電荷

座號：

• 四、假設均使用正光阻製程，欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能 使用最少光罩數目的情況下，設計所有需要的光罩示意圖（以斜線表示光 罩上不透光區域，以空白表示透光區域） 。並搭配所設計的光罩，由 p-Si 基底開始，依照製程順序列出所有必要的製程步驟，並加以說明。 （ 25 分）

114 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號： 22560 頁次： 2 － 1

等

別：高考二級

類

科：電子工程

科

目：電子元件

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

•  不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

•  請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。

 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。

• 一、在一半導體中只考慮電子的漂移電流密度以及電洞的擴散電流密度，且 此兩者之總和為一常數。假設電子濃度為 16 2 10  / 立方公分，電洞濃度為 15 10 x L e  / 立方公分，對於所有 0 x  ，其中 L 為 0.0015 公分。已知電洞的 擴散係數為 15 平方公分 / 秒，電子的移動率為 1500 平方公分 / 伏特 -秒。 總電流密度是 9.6 安培 / 平方公分。寫出： （每小題 10 分，共 20 分）

•  電洞擴散電流密度

•  電場的表示式

• 二、在熱平衡下的同一半導體之單邊陡峭 p + -n 接面，若受體濃度遠大於施 體濃度，

•  繪出其空間電荷分布圖，於圖上標示空乏區，並寫出空乏區公式。 （ 7 分）

•  繪出其電場分布圖，於圖上標示最大電場，寫出最大電場計算式。 （ 7 分）

•  以中性 p 區的零電位作為參考點（在距離 x = 0 的電位為零）繪出其電 位分布圖，於圖上標示內建電位，寫出電位隨 x 變化之式子。 （ 6 分）

• 三、對於在高垂直電場下的金屬-絕緣體-半導體結構，反轉層電子的運動 在垂直於半導體表面的方向受到侷限，形成二維電子氣（ 2DEG ） 。

（每小題 10 分，共 20 分）

•  從古典以及量子力學觀點畫出電子濃度從絕緣體-半導體界面深入 半導體基底的分布圖，並說明之。

•  詳述此量子侷限效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體 （ MOSFET ） 臨界電壓之影響。

座號：

• 四、雙極性接面電晶體（ BJT ）依據集極 -基極接面（當成 x 軸）與射極 -基極 接面（當成 y 軸）的電壓極性，可以分為四種操作模式，分別是 ⑴ 飽和 （ Saturation ） 、 ⑵ 順向主動（ Active ） 、 ⑶ 截止（ Cutoff ） 、以及 ⑷ 反轉主 動（ Inverted ）模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例，在 x -y 平面上，以 四種象限，寫出上述四種操作模式下的接面極性，畫出基極區少數載子 分布圖，並說明之。 （ 20 分）

• 五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的 ⑴ 導通電流 （ Ion ） ； ⑵ 截止電流（ Ioff ） ； ⑶ 臨界電壓（ VT ） ； ⑷ 次臨界擺幅（ SS ） ；以 及 ⑸ 汲極導致位障下降（ DIBL ）之影響。 （ 20 分）