103 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ： 20110-23310 全一頁

等 別： 高考二級

類 科： 各類科

科 目： 憲法與英文

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、甲雖家財萬貫，生活豪奢，但卻常年逃稅，積欠國稅局稅款數千萬元而不願繳納。 政府決定採取「關人討債」的策略，欲將甲處以管收處分，以迫使甲繳交積欠稅款。 請問：

•  國家可否以管收方式迫使人民繳稅？若要使此類管收處分合憲，立法者應建制那 些基本規定來保障人民權利？（ 15 分）

•  若甲因積欠稅款而被處以管收處分時，甲提出公民與政治權利國際公約第 11 條： 「任何人不得僅因無力履行契約義務，即予監禁。」作為抗辯。請問該公約的國 內法效力為何？該公約與國內法律競合時應如何處理？本案中甲的抗辯能否成 立？（ 10 分）

• 二、何謂權力分立原則？（ 10 分）又司法院大法官如何詮釋此原則？請以大法官有關權 力分立原則的解釋為基礎，詳述該原則在我國現行法中之法律地位與其主要內涵。 （ 15 分）

三、英譯中：

As is often the case in Ebola outbreaks, no one knows how the first person got the disease or how the virus found its way to the region. Some previous epidemics are thought to have begun when someone was exposed to blood while killing or butchering an infected animal. Cooking will destroy the virus, so the risk is not in eating the meat, but in handling it raw. People might also become infected by eating fruit or other uncooked foods contaminated by droppings from infected bats. （ 10 分）

四、中譯英：

如果你有金錢方面的問題，有很多不同的方式可以省錢。與其花錢買新衣服，試著 到慈善商店買二手貨，在那兒你會發現很多時尚的廉價品。外食亦是一筆很大開銷， 你可以跟幾個朋友一起煮食，既便宜又好玩。巴士與計程車也會讓你破費，所以值 得買一輛便宜的腳踏車代步。（ 10 分）

五、英文作文：（ 30 分）

Write an English essay of about 250 words to address the following:

One often hears complaints about the excessive coverage of sensational news and celebrity gossip by the local TV news shows. Some believe that more time should be spent on reporting international news and issues of global concern. Do you agree? Discuss the topic from the perspectives of a TV audience and a news program director.

座號：

代號：

20120

| 23320

頁次：

4 － 1

103 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題

等 別：高考二級

類 科：各類科

科 目：國文（作文、公文與測驗）

考試時間：

2 小時

※注意：禁止使用電子計算器。

甲、作文與公文部分：

 請以黑色之原子筆或鋼筆在申論試卷上由左至右橫式作答，於本試題上作答者，不予計分。  不得於試卷上書寫姓名或入場證號。

• 一、作文：（ 60

分）

常言道：「三百六十行，行行出狀元」，「人生以服務為目的」；孟子說士要 「尚志」，孔子志在「老者安之，朋友信之，少者懷之」。其實職業與志業是 可以密切結合的，端看我們的觀念與做法而定。試以「如何讓公務員生涯成 為高尚志業」為題，申論己見，撰文一篇。

二、公文：（ 20 分）

試擬行政院函衛生福利部：為維護民眾健康，請就食品及藥品相關管理工作， 確實稽查審核，嚴格取締不法，並按月陳報執行情形。本函副本抄送行政院 ○○○政務委員、法務部、內政部、經濟部、財政部、行政院農業委員會。

乙、測驗部分：（ 20

分） 代號：

2201

 本測驗試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。  共 10 題，每題 2 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題或申論試卷上作答者，不予計分。

 依據下文，□內最適合填入的詞語是：

卡夫卡熱愛寫作，但文名始終不彰。四十一歲死於肺結核，離世前顯然對作品 □□□□，因此寫信交代好友布拉德將其出版與未付梓的小說、手稿、日記、信件、 隨筆……全部燒燬，他的遺願亦可視為「焚稿斷痴情」──斷的是對寫作終身不 渝，而知音卻□□□□的痴情吧！（張純瑛〈焚稿斷痴情〉）

•  心力交瘁／寥若晨星

•  意興闌珊／寥若晨星

•  心力交瘁／失之交臂

•  意興闌珊／失之交臂

•  電視節目正在討論教育改革的議題，有幾位學者提出他們的看法：

甲：孩子從小不僅要加強國家意識，並且得強化法治教育陶鑄。

乙：孩子必須透過學習，教化性情，更要注意環境習染的影響。

丙：孩子從小培養邏輯思辯能力，並且從課程中訓練表達技巧。

丁：孩子應適性發展，不以分數衡量學習成就。

若場景穿越至先秦時期，以上四位學者，依序應各指何人？

•  孔子、管子、墨子、莊子

•  孟子、孔子、荀子、老子

•  老子、韓非子、孟子、管子

•  韓非子、荀子、惠子、莊子

座號：

|

•  左思〈白髮賦〉：「白髮臨欲拔，瞋目號呼：『何我之冤！何子之誤！甘羅自以辯 慧見稱，不以髮黑而名著；賈生自以良才見異，不以烏鬢而後舉。聞之先民，國用 老成。二老歸周，周道肅清。四皓佐漢，漢德光明。何必去我，然後要榮。』」此 一作品所欲表達的情志為何？

•  悲嘆自己年老髮白，此生已難有所作為

•  勸誡世人：少壯若不努力，老大徒增傷悲

•  勸勉世人：身體髮膚，受之父母，不應毀傷

•  以為有用之人未必皆黑髮，白髮之人也可望為國效力

•  昔者子貢謂孔子曰：「夫子之道大，天下莫能容，盍少貶乎？」

孔子曰：「良農能稼，不能為穡；良匠能巧，不能為順。君子能修其道，綱而紀 之，統而理之，而不能為容。賜，爾不務修道，而務為容，爾志不遠矣。」由是 觀之，士而未祿，尚不可為容，況位冢宰，統百官而均四海者乎！

根據上文，下列敘述何者正確？

•  君子修養自身，不須迎合人意，應力圖致用於當世

•  士農工商都應順應時代潮流，精進專業，求為現世所容

•  君子應正其誼不謀其利，明其道不計其功，有守有為，不務求容於當道

•  農夫播種不一定保證有收穫，工匠技巧好不一定能得消費者肯定，所以應該但 求耕耘不問收穫

• 

• 「見善，脩然必以自存也；見不善，愀然必以自省也。善在身，介然必以自好也； 不善在身，菑然必以自惡也。故非我而當者，吾師也；是我而當者，吾友也；諂 諛我者，吾賊也。」（《荀子‧修身》）

依據上文，下列選項何者有誤？

•  君子修身，不會受到對象與環境的影響

•  凡能正確肯定我之優點者，都是我的朋友

•  凡能對我行為提出批判者，都是我的老師

•  凡是諂媚我之所作所為者，都是賊害德行之人

|

23320

4 － 3

•  「凡植木之性，其本欲舒，其培欲平，其土欲故，其築欲密。既然已，勿動勿慮， 去不復顧。其蒔也若子，其置也若棄，則其天者全，而其性得矣。故吾不害其長 而已，非有能碩而茂之也。不抑耗其實而已，非有能蚤而蕃之也。」（柳宗元 〈種樹郭橐駝傳〉）作者認為種樹之理可以移至政治之道，下列選項何者最為適 當？

•  管理百姓，應以不治理的手段為之

•  管理百姓，應以不關心的態度為之

•  管理百姓，應以不教育的方式為之

•  管理百姓，應以不強制的心態為之

•  「可是要打算作為文明的國家，國民總要張開眼睛，對眼前的一切感到不耐。我 們常說，一個國家的視覺環境具體的呈現國民視覺判斷的水準，無法強求。這是 說，一個城市是否美觀，其公園綠地是否動人，不能責怪其設計者沒有能力，應 視為國民文化素養的總表現。試想設計師是誰聘請來的？他們工作的成果是誰批 准的？當然是政府的領導者。這說明決策者沒有張開眼睛。如果市民們都經過視 覺啟蒙，他們怎麼能接受這樣令他們不愉快的成果？如果他們不能接受，政府領 導者焉有不學習張開眼睛的道理？」（漢寶德《漢寶德談美》）關於本段文字的 理解，下列何者錯誤？

•  公民意志的凝聚，具有影響政府決策的力量

•  決定居住環境的美醜，不單僅是政府的責任

•  通過公民共同同意的設計，才是美麗的工程建設

•  通過人民對於美的追求，國家建設才能不斷提升與進步

|

•  「『好的開始是成功的一半』，這句話是從外語翻譯過來的，很多人常把這句話 掛在嘴邊。未嘗不是一句善頌善禱的話，當事人聽了覺得很受用。但是再想一下， 一個輝煌的開始便是百分之五十成功的保證，天下有這等便宜事？《詩‧大雅‧ 蕩》：『靡不有初，鮮克有終。』是比較平實的說法。我們國人做事擅長的一手 是『五分鐘熱氣』，在開始時候激昂慷慨，鋪張揚厲，好像是要雷厲風行，但是 過不了多久，漸漸一切拋在腦後，雖然口裡高歌『貫徹始終』，事實上常是有始 無終。參加賽跑的人，起步固然要緊，但最後勝利卻繫於臨終的衝刺。最近看我 們的一個球隊參加國際比賽，開始有板有眼，好一陣子一直領先，但是後繼無力， 終落慘敗。好的開始似乎無關最後的成敗。」（梁實秋〈流行的謬論〉）下列選

項，何者不符合作者行文旨意？

•  萬事起頭難，只要開始就能成功

•  持之以恆、有始有終才是致勝關鍵

•  「好的開始是成功的一半」為頌禱意義的說法

•  「靡不有初，鮮克有終。」是用來諷諭半途而廢的人

依下文回答第  至第  題

秋水時至，百川灌河。涇流之大，兩涘渚崖之間，不辯牛馬。於是焉河伯欣然自喜， 以天下之美為盡在己。順流而東行，至於北海，東面而視，不見水端。於是焉河伯 始旋其面目，望洋向若而歎曰：「野語有之曰，『聞道百以為莫己若者』，我之謂 也。且夫我嘗聞少仲尼之聞而輕伯夷之義者，始吾弗信。今我睹子之難窮也，吾非 至於子之門則殆矣，吾長見笑於大方之家。」（《莊子‧秋水》）

 下列何者非本文意旨？

•  井蛙不可以語於海

•  夏蟲不可以語於冰

•  朽木不可以雕為柱

•  曲士不可以語於道

 根據上文，河伯「始旋其面目，望洋向若而歎」原因，下列何者為正確？

•  聞道百，以為莫己若者

•  始知人外有人，天外有天

•  少仲尼之聞，輕伯夷之義

•  北海遼闊無涯，令人望而生畏

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 高等電子電路學（包括類比與數位）

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、圖一為折疊式疊接放大器（ folded cascode amplifier ），假設所有 MOSFET 電晶體之 小信號參數均為 g m = 1.0 mA/V 、 r o = 200 k Ω 、且 CL = 2 pF ，試回答下列問題：

（每小題 5 分，共 20 分）

•  放大器輸出電阻（ output resistance ） Ro = Rop // R on = ？

•  放大器電壓增益（ voltage gain ） = ？

•  放大器主極點頻率 f p （ dominant pole frequency ） = ？

 放大器單增益頻率 f t （ unity-gain frequency ） = ？

圖一

Q

4

VDD

Q

9

I

V

SS

Rop

Q

5

VBP

2

Q

4

Q

6

Q

8

CL

V

Vo

Ron

VBP

1

V-

Q

7

Q

2

Q

1

Q

2

Q

3

Q

10

• 二、如圖二之電路，若迴路增益遠大於 1 (loop gain β A >> 1) ，試回答下列問題：

（每小題 10 分，共 20 分）

•  此電路轉導（ circuit transconductance ） Gm = I o / V s 之表示式？

•  試求出 RE 之電阻值，使得 Gm = 1 mA / V 。

圖二

RS

VS

Rin

RC

IO

Rout

RE

＋

－

座號：

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 高等電子電路學（包括類比與數位）

三、圖三為達靈頓耦合對（ Darlington pair ）電路，請忽略所有電晶體之 o r ，並以小信號 分析（ e r r , , π β ）回答下列問題：（每小題 5 分，共 20 分）

•  Rin 的表示式？

•  Rout 的表示式？

•  電壓增益 Vo / V sig 的表示式？



已知

2 mA

=

I

、

50

=

=

β

β

Ω = 50 k sig R ，試計算 ? = out R

2

E

2

1

E

圖三

VCC

Rsig

Vsig

Rin

Q

1

RE

VEE

Rout

VO

Q

2

＋

－

四、圖四為疊接式電流鏡（ cascode current mirror ）電路，假設所有的電晶體之參數均為：

V

0.7 V

=

t

、

/V

μ

A

350

=

ox

nC

μ

、

1.8 V

=

A

V

、

20

=

W

L

，且

I

ref

＝

100

μ

A

。請忽略電晶體

Q 3 與 Q 4 的基體效應（ body effect ），試計算：（每小題 5 分，共 20 分）

•  Q 1 閘極端點的直流電壓值 VG 1 = ？

•  Q 4 閘極端點的直流電壓值 VG 4 = ？

•  最小的輸出直流準位 Vo, min= ？

 輸出電阻 Ro = ？

圖四

I

ref

Rref

Q

4

Q

1

Q

3

Q

2

I

o

Vo

Ro

• 五、假設一 CMOS 邏輯布林函數（ Boolean function ）為： Z= ) )( ( C B A E D + + + ，試回 答下列問題：

 試繪出此邏輯布林函數之 CMOS 電晶體層級電路圖。（ 10 分）

•  如  中假設所有 PMOS 電晶體閘極之寬長比均為 12 = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ P L W ，且所有 NMOS 電晶

體閘極之寬長比均為 10 = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ N L W ，試繪出此邏輯電路之等效反向器電路。（ 5 分）

並求出該等效反向器電路 CMOS 電晶體之 P eq L W , ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ 及 N eq L W , ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ 分別為？（ 5 分）

2

、

R

=

1 k

Ω

、

代號

：

22640

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 電路分析

考試時間：

2 小時

座號：

※注意：

 可以使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、圖一為一直流穩態（ DC steady state ）電路，應用節點電壓法求各節點電壓及支路電 流（ V 1 、 V 2 、 V 3 、 I 1 、 I 2 、 I 3 、 I 4 ），並計算電阻消耗之總功率及各獨立電源與相依 電源供應之功率；以及繪出 a 、 b 端點所視之戴維寧等效電路（ Thévenin equivalent circuit ）。（ 25 分）

圖一

5

Ω

5

Ω

5

Ω

5

Ω

10

Ω

• 二、圖二所示之電路，其開關 S 原為閉合（ close ）狀態，且電路已達穩態。開關 S 於時 間 t = 0 秒時開啓（ open ），且 i s =10[ u ( t ) － u ( t -1)] (A) ， e s = 40 V （直流）。繪出拉普 拉氏轉換（ Laplace transform ）電路（複頻域 (s-domain) 等效電路），求電感電流與 電容電壓之拉普拉氏轉換式，及其時域 (time-domain) 式 i L ( t ) 與 v C ( t ) ；並計算電阻 由 t = 1 秒至穩態過程中所消耗之能量。（ 25 分）

t

=

0

)

(

t

i

L

)

(

t

i

S

)

(

t

v

C

圖二

i

L

(

t

)

v

c

(

t

)

e

S

i

S

(

t

)

103 年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號 ： 22640 （背面）

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 電路分析

• 三、圖三所示之電路已達穩態，其中 e s ( t ) =150 cos 500 t (V) ， i s ( t ) =10 sin 1000 t (A) 。求 v 1 ( t ) 、 v 2 ( t ) 、 v 3 ( t ) 、 i 1 ( t ) 、 i 2 ( t ) 、 i 3 ( t ) 、 i 4 ( t ) 、 i 5 ( t ) 等之均方根（ root-mean-square ）值，並計算電 路所消耗之平均功率，及各電源之視在功率（ apparent power ）與供應之有效功率。 註：視在功率定義為電壓均方根值乘以電流均方根值。（ 25 分）

3

100

( )

t

e

S

( )

1

t

i

)

(

2

t

i

)

(

3

t

i

)

(

4

t

i

)

(

5

t

i

)

(

1

t

v

)

(

2

t

v

)

(

t

i

S

( )

3

t

v

e

S

(

t

)

i

S

(

t

)

i

3

(

t

)

μ

F

3

100

μ

100 F

10

Ω

• 四、圖四所示之電路，其開關 S 原為閉合狀態，且電路已達穩態，兩電容之時域電壓均 為 100 sin 100 t (V) ，求電壓源 ES 之有效值（均方根值）。開關 S 於 t = 0 秒開啟，判 斷電容 C 1 及 C 2 之電壓於 t = 0 秒時是否為連續，並求 V 1 及 V 2 之時域電壓 v 1 ( t ) 及 v 2 ( t ) ， t > 0 。若開關開啟後達穩態時， a 、 b 兩端點間之最大電壓為何？（ 25 分）

I

4.8

Ω

S

j

1

Ω

j

4

Ω

C

1

j

4

Ω

C

2

j

4

Ω

t

= 0

秒

L

1

L

2

R

a

b

S

V

1

V

2

1

L

2

L

I

1

C

I

2

C

I

I

L

1

I

C

1

I

L

2

I

C

2

Es

E

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 積體電路技術

考試時間：

2 小時

※注意：

 可以使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、設一鋁銅矽（ Al-Cu-Si ）合金膜的電阻率（ resistivity ）為 3.2 μ ohm-cm ，試問： （每小題 5 分，共 20 分）

•  此合金膜為 1 μ m 厚時，其片電阻（ sheet resistance ）為何？

•  將此合金膜製成一 500 μ m 長， 10 μ m 寬的線時，其電阻（ resistance ）為何？

•  若將  所示之合金膜製成兩條平行線，並間隔以 1 μ m 寬的 SiO2 （ SiO2 的相對介 電係數 (relative permittivity) 為 3.9 ，真空中介電常數為 8.854 × 10 -14 F/cm ），則其 對應之電容值（ capacitance ）為何？

•  上述 500 μ m 長之合金線對應之 RC 時間常數（ RC time constant ）為何？

• 二、  在製作 Al-2 ％ Cu 的薄膜時，應以使用 sputtering 技術或 evaporation 技術為佳？說 明你的理由。

•  試說明何謂「離子通道效應」（ ion channeling effect ）及其如何影響接面深度 （ junction depth ）的製作？

•  試說明在投影式的光學蝕刻術（ projection optical lithography ）中，為何最小鑑別 度（ minimum resolution ）和焦距深度（ depth of focus ）這兩個需求無法藉由使用 較短波長的光子而同時得到最佳化？

 試說明濕式蝕刻（ wet-etch ）與乾式蝕刻（ dry-etch ）之優缺點各為何？ （每小題 5 分，共 20 分）

• 三、在離子佈植製程中，若以 1000 keV 的能量，將 10 15 /cm 2 的硼劑量（ boron dose ）植 入一 n 型 Si 中（設 Si 之摻雜濃度為 10 15 /cm 3 ），又植入之硼離子的濃度分佈如圖 一所示，試問：（每小題 10 分，共 20 分）

•  請列出沿著入射方向植入之雜質離子的高斯分佈函數式為何？並說明各符號的意 義（列式即可，不用推導）。

•  設入射硼離子的平均投影範圍（ projected range ， Rp ）為 1.756 μ m ，而投射游走 （ projected straggle ， Δ Rp ）為 0.1364 μ m ，試計算圖一中接面深度（ junction depth ） xj1 與 xj2 各為何？

圖一

C(x)

X=0

xj1

xj2

10 15

/cm 3

x

座號：

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 積體電路技術

• 四、在一氧化製程中，已知當氧化層厚度為 0.5 μ m 時，氧化速率（ oxidation rate ， dxox/dt ）為每小時 0.24 μ m ， 但當氧化層厚度達到 1 μ m 時，氧化速率卻變成每小時 0.133 μ m ，試利用 Grove 模型（ Grove model ）

（每小題 10 分，共 20 分）

•  計算此氧化製程之線性氧化常數 B/A （ linear oxidation constant ）和拋物線氧化常 數 B （ parabolic oxidation constant ）各為何？並列出其單位。

•  依據  之結果試說明氧化過程的機制為何？

五、設實驗室中僅有下列製程設備：

Mask aligner （光罩機）

Spinning, baking, and development setups for photoresist and spin-on glass Wet chemical bench for cleaning and wet etching （濕式蝕刻設備）

Oxidation furnace （氧化爐）

Annealing furnace （熱處理爐）

Al evaporator （鋁蒸著機）

現擬利用上述設備製造圖二所示之 DRAM 結構，該結構為一簡單的鋁閘之 n 通道 MOSFET （ Al-gate n-channel MOSFET ）聯接著一個電容器。（每小題 10 分，共 20 分）  試繪出此 DRAM 結構的剖面圖（ cross-sectional view ）。

•  欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩（ mask ）？請按製程流程（ process sequence ），寫下光罩層的名稱與其目的。

p-type Si

Gate oxide

Field Oxide

Al Gate

Al electrode for capacitor

n

＋

n

＋

Al

（光阻顯影設備）

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 電子元件

考試時間：

2 小時

※注意：

 禁止使用電子計算器。

 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

• 一、  對於一般常見的 n 型半導體（如矽、砷化鎵、氮化鎵與氧化鋅），通常費米能階 （ Fermi Level ）會隨著摻雜電子濃度增加而更接近導帶（ Conduction Band ），如 果高摻雜電子濃度，費米能階甚至會深入導帶內部；但是對於 p 型半導體，無論 摻雜電洞濃度如何增加，費米能階總是不會深入價帶（ Valence Band ）內部，請 說明原因。

•  請說明如何量測半導體薄膜的片電阻（ Sheet Resistance ）？什麼是轉移長度 （ Transfer Length ）？

（每小題 10 分，共 20 分）

• 二、  請說明什麼是長基區二極體（ Long-Base Diode ）？什麼是短基區二極體（ ShortBase Diode ）？兩者在順向電流的物理機制有何不同？

•  對於一金屬與半導體的蕭特基接觸（ Schottky Contact ），半導體為 n 型矽單晶材 料，它的能隙（ Energy Gap ）是 1.1 eV ，電子親和力（ Electron Affinity ）是 4.05 eV ， 功函數（ Work Function ）是 4.15 eV ；金屬為金，它的功函數是 5.1 eV 。請問蕭 特基能障是多少？此值會和我們實際量測計算的能障值常常會有所不同，請說明 原因。

（每小題 10 分，共 20 分）

• 三、  在 npn 雙極性接面電晶體（ Bipolar Junction Transistor ， BJT ）中，關於嘉莫圖 （ Gummel Plot ）的電流對電壓的特性曲線，若集極電流（ IC ）與基極電流（ IB ） 取對數，基極對射極電壓（ VBE ）為線性，請繪出對數的集極與基極電流對電 壓【 log （ I C 與 IB ） -VBE 】的特性曲線圖，並說明各線段的電流物理機制。

 現今發展一種所謂的矽鍺（ SiGe ）異質雙極性接面電晶體（ Heterojunction Bipolar Transistor ， HBT ），請說明這種元件的射極、基極與集極材料分別為何？比較傳 統的雙極性接面電晶體，這種元件可以提供什麼優點？並說明原因。 （每小題 10 分，共 20 分）

• 四、  在金氧半場效電晶體（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， MOSFET ）中，何謂熱載子（ Hot Carrier ，載子可為電子或電洞）？ 何謂熱載子 注入（ Hot Carrier Injection ， HCI ）？ 應如何控制或改善熱載子注入現象？

•  在金氧半場效電晶體的製程中常常使用金屬矽化物（ Silicide ），請說明金屬矽化 物在金氧半場效電晶體的結構是什麼？它可以提供什麼優點？ （每小題 10 分，共 20 分）

座號：

等 別： 高考二級

類 科： 電子工程

科 目： 電子元件

• 五、  在黃光室的微影製程中，對於光阻有所謂的軟烤（ Soft-Bake ）與硬烤（ HardBake ），請說明它們的功能各為何？使用溫度範圍各為何？

•  在製作矽元件或矽積體電路時，我們常用氮化矽（ Silicon Nitride ， Si3N4 ）作為絕 緣層或披覆層（ Passivation Layer ），如果要以氮化矽作為絕緣層與披覆層，應該 分別使用何種技術成長？請說明原因。

（每小題 10 分，共 20 分）